頂旭微控提供PDMS芯片模具定制加工服務，可提供純硅模具，SU8模具，亞克力模具，樹脂模具。純硅模具，深刻比大，精度高；SU8模具，采用光刻工藝，zui小線寬5um，深寬比2：1；亞克力模具，適合大于0.1mm的流道。頂旭微控，擁有he心技術，多年加工經驗，效率gao，價ge實惠，承接科研定制，企業小批量、大批量定制。

SU-8是一種高分辨率的負性光刻膠，擁有出色的機械、介電、耐化學性和熱性能，以及出色的生物相容性。SU8模具適合做PDMS芯片澆筑模具。

UV曝光過程

曝光的目的是通過ji活光刻膠某些部分中的 PAC（PhotoActiv 組件）來引發交聯。這種活化將改變樹脂的局部特性，樹脂在烘烤后將溶于或不溶于溶劑。由于SU-8是負性光刻膠，這意味著暴露在紫外線下的部分會變硬，而另一部分會在顯影過程中溶解。必須仔細選擇一些參數：

SU-8的曝光波長為365nm。

時間取決于層厚和燈的功率。

接觸模式很重要，如果沒有硬接觸，您可能會失去一些分辨率，而使用真空接觸，您可能會將晶圓粘在掩模上。

環氧樹脂SU-8曝光后烘烤（光刻膠的二次烘烤）

第二次光刻膠烘烤稱為 PEB（曝光后烘烤）。顧名思義，它是在紫外線照射后完成的。紫外線照射ji活了 SU-8 光刻膠中的光敏成分，但它需要能量來繼續反應；這種烘焙帶來了能量。至于軟烘烤，有問題的一點是 SU-8 光刻膠內部的機械應力，因此必須稍微加熱和冷卻以盡可能減少這種應力。

加熱模式與軟烘烤相同，第yi個平臺是 65°C，然后第二個平臺是 95°C，每個平臺的時間取決于 SU-8 光刻膠層的厚度。

在繼續該過程之前，請確保您的晶圓處于室溫。

環氧樹脂SU-8模具硬烤（光刻膠的第三次烤）

第三次也是zui后一次光刻膠烘烤稱為“硬烘烤”，這是該過程的zui后一步，但可以是可選的。在工藝結束時，SU-8 光刻膠內部會保留大量強度，這可能會在表面產生裂紋，甚至分層……硬烘烤會在高溫（超過 120°C）下加熱 SU-8 光刻膠壓制這些力量。多虧了它，一些裂縫消失了，SU-8 光刻膠變得更硬了。再次，它與軟烘烤和PEB相同，光刻膠的增加和冷卻必須稍微進行。