各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發展，極大地滿足了各種新型電子元器件發展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產業中，各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發展，有的已經用于電腦及計算機的顯示器制造；當僅僅將由金屬氧化物組成的無機填料(D)作為填料與橡膠組分(A)混合時，導電橡膠能夠得到降低色粉的物理粘附力的效果，但是不能將色粉充電至較高程度，因此不能提供足夠的打印密度。在信息存儲產業中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質量提出了越來越高的要求，需求數量也逐年增加。

超純金屬的制備有化學提純法如精餾（特別是金屬氯化物的精餾及氫還原）、升華、溶劑萃取等和物理提純法如區熔提純等（見硅、鍺、鋁、銦）。其中以區熔提純或區熔提純與其他方法相 結合有效。

由于容器與藥劑中雜質的污染，使得到的金屬純度受到一定的限制，只有用化學方法將金屬提純到一定純度之后，再用物理方法如區熔提純，才能將金屬純度提到一個新的高度。可以用半導體材料鍺及超純金屬鋁為例說明典型的超純金屬制備及檢測的原理（見區域熔煉）。根據本發明的一方面，提供了一種導電輥，該導電輥包括導電性芯材，以及包覆于所述導電性芯材的外周的泡沫彈性層。

金屬靶材材質分為：

鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。由于W-Ti系列薄膜具有非常優良的性能，近幾年來應用量急劇增加，2008年W-Ti靶材世界用量已達到400t，隨著光伏產業的發展，這種靶材的需求量會越來越大。

王水在溶解了 的溶液中有大量的殘余和 硝基物的存在給后續提煉或精煉帶來操作困難或失敗，嚴重影響的提煉或精煉工藝順利進行，嚴重影響回收率，故王水溶液的濃縮趕硝是緊隨溶解其后的務必工序！尤其在鉑族金屬的精煉中嚴重影響水解的順利進行和回收率。

王水溶液的濃縮趕硝故名思議是兩段工序，濃縮的目的是將溶液中可在沸騰下揮發的酸和水盡量揮發徹底，以便適合趕硝的藥劑和濃度盡量高的無水硝基物或殘余快速反應，以達到徹底趕硝的目的。