化學顯影法

化學顯影法是利用乳劑層中鹵化銀晶體內的銀離子，在顯影時被顯影劑還原而使潛影不斷擴大的顯影方法。即形成銀影的銀離子是靠乳劑層中的鹵化銀晶體本身提供的。化學顯影法是常見和使用多的一種顯影方法。目前制版系列的常規沖洗，均屬化學顯影的范疇。當我們在電子顯微鏡下觀察顯影過程時，會看到已曝光的鹵化銀一旦與顯影劑接觸，顯影中心的金屬銀以細絲狀逐漸增長。當細絲長到一定長度時，便向橫向增長，致使整個顆粒都被還原子成金屬銀。使用優化后的Recipe生產測試版，重復CDUniformity測試，檢驗現有工藝條件下該指標的性能。由此可見，化學顯影生成的銀為絲團狀，可提供較高的感光度。

此外，還要求能溶于水，本身及其氧化產物不含毒性等條件。以上條件僅是一般的要求，如果作為性能良好的顯影劑來說，還應有更嚴格的要求，即顯影速度快、還原銀的顆粒細膩、灰霧度小、化學性能穩定以及顯影容量大等等，當然要在一種顯影劑上完全具備上述條件是很困難的，因其中有些要求本身是互相矛盾的。還原太慢或在還原過程中不能區分曝光和未曝光鹵化銀的還原劑都不能作為顯影劑。例如Na,SO，和SnCl，等化學上都是很好的還原劑，可是由于亞硫酸鈉還原鹵化銀的速度太慢；停顯液是酸性水溶液，常用的有醋酸、硼酸、硫酸等，一般都使用弱酸。而氯化亞錫的還原能力又太強，它不僅能使已曝光的鹵化銀還原，同時也能使未曝光的鹵化銀還原，因此終得不到清晰的影像。

當顯影液中含有亞硫酸鈉時，即可消除上述不利影響，這是由于亞硫酸鈉可迅速地與顯影劑的氧化產物--配反應，生成了無色的可溶性的對二酚單磺酸鈉，而且它還具有顯影作用，是一種顯影活性較弱的顯影劑。這樣不僅避免了顯影過程中污染物質的大量形成，而且還將其氧化產物轉化成有助于顯影的物質，使顯影液顯影能力的得比較緩慢，起到了穩定顯影能力的作用。當液溫達到21℃以上時，定影液中一般要加入堅膜劑，以防止乳劑層被破壞。

“曝光顯影工藝就是我們常說的黃光工藝，這種曝光工藝其實是很成熟的，它應用在PCB行業、半導體行業、甚至顯示面板行業，但這種工藝應用到現在的3D玻璃蓋板工藝的時間并不長。這種工藝的優點是曝光的精度高，它的良率高。”

雖然如此，但是PCB曝光工藝和半導體工藝曝光工藝條件不一樣，PCB通常是貼合式曝光，曝光是沒有距離的，但現在的蓋板是3D曲面蓋板，它的曝光，通常來說MASK它跟產品有一定的距離，這個距離會造成一定的偏差，所以它的工藝是有難點的。