化學(xué)顯影法

化學(xué)顯影法是利用乳劑層中鹵化銀晶體內(nèi)的銀離子，在顯影時(shí)被顯影劑還原而使?jié)撚安粩鄶U(kuò)大的顯影方法。即形成銀影的銀離子是靠乳劑層中的鹵化銀晶體本身提供的。化學(xué)顯影法是常見和使用多的一種顯影方法。目前制版系列的常規(guī)沖洗，均屬化學(xué)顯影的范疇。當(dāng)我們?cè)陔娮语@微鏡下觀察顯影過程時(shí)，會(huì)看到已曝光的鹵化銀一旦與顯影劑接觸，顯影中心的金屬銀以細(xì)絲狀逐漸增長(zhǎng)。當(dāng)細(xì)絲長(zhǎng)到一定長(zhǎng)度時(shí)，便向橫向增長(zhǎng)，致使整個(gè)顆粒都被還原子成金屬銀。使用優(yōu)化后的Recipe生產(chǎn)測(cè)試版，重復(fù)CDUniformity測(cè)試，檢驗(yàn)現(xiàn)有工藝條件下該指標(biāo)的性能。由此可見，化學(xué)顯影生成的銀為絲團(tuán)狀，可提供較高的感光度。

此外，還要求能溶于水，本身及其氧化產(chǎn)物不含毒性等條件。以上條件僅是一般的要求，如果作為性能良好的顯影劑來(lái)說，還應(yīng)有更嚴(yán)格的要求，即顯影速度快、還原銀的顆粒細(xì)膩、灰霧度小、化學(xué)性能穩(wěn)定以及顯影容量大等等，當(dāng)然要在一種顯影劑上完全具備上述條件是很困難的，因其中有些要求本身是互相矛盾的。還原太慢或在還原過程中不能區(qū)分曝光和未曝光鹵化銀的還原劑都不能作為顯影劑。例如Na,SO，和SnCl，等化學(xué)上都是很好的還原劑，可是由于亞硫酸鈉還原鹵化銀的速度太慢；停顯液是酸性水溶液，常用的有醋酸、硼酸、硫酸等，一般都使用弱酸。而氯化亞錫的還原能力又太強(qiáng)，它不僅能使已曝光的鹵化銀還原，同時(shí)也能使未曝光的鹵化銀還原，因此終得不到清晰的影像。

當(dāng)顯影液中含有亞硫酸鈉時(shí)，即可消除上述不利影響，這是由于亞硫酸鈉可迅速地與顯影劑的氧化產(chǎn)物--配反應(yīng)，生成了無(wú)色的可溶性的對(duì)二酚單磺酸鈉，而且它還具有顯影作用，是一種顯影活性較弱的顯影劑。這樣不僅避免了顯影過程中污染物質(zhì)的大量形成，而且還將其氧化產(chǎn)物轉(zhuǎn)化成有助于顯影的物質(zhì)，使顯影液顯影能力的得比較緩慢，起到了穩(wěn)定顯影能力的作用。當(dāng)液溫達(dá)到21℃以上時(shí)，定影液中一般要加入堅(jiān)膜劑，以防止乳劑層被破壞。

“曝光顯影工藝就是我們常說的黃光工藝，這種曝光工藝其實(shí)是很成熟的，它應(yīng)用在PCB行業(yè)、半導(dǎo)體行業(yè)、甚至顯示面板行業(yè)，但這種工藝應(yīng)用到現(xiàn)在的3D玻璃蓋板工藝的時(shí)間并不長(zhǎng)。這種工藝的優(yōu)點(diǎn)是曝光的精度高，它的良率高。”

雖然如此，但是PCB曝光工藝和半導(dǎo)體工藝曝光工藝條件不一樣，PCB通常是貼合式曝光，曝光是沒有距離的，但現(xiàn)在的蓋板是3D曲面蓋板，它的曝光，通常來(lái)說MASK它跟產(chǎn)品有一定的距離，這個(gè)距離會(huì)造成一定的偏差，所以它的工藝是有難點(diǎn)的。