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外延片的生長工藝有很多流程,需要很多高菁尖設(shè)備,生長出來的外延片直接決定了 LED 的波長、亮度、正向電壓等主要的光電參數(shù)。外延片的生長基本原理是在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片(主要有藍(lán)寶石、SiC 碳化硅、Si 硅)上,氣態(tài)物質(zhì) In Ga Al P(銦 家鋁 磷) 有控制的輸送到襯底表面,生長出特定單晶薄膜。
目前主要的外延片襯底材料有藍(lán)寶石、碳化硅和硅。不同的襯底材料有不同的光電特性,價格差別也很大。外延片制造過程如下:
先把晶棒切片,切片需要注意晶面的結(jié)晶方向、晶片的厚度、晶面的斜度和曲度;切片后為了防止晶片邊緣碎裂、防止熱應(yīng)力集中以及增加外延層的平坦度 需要把晶邊磨圓,然后還需要蝕刻(shí kè),蝕刻的目的在于把前面機(jī)械加工所造成的損傷給去掉,蝕刻需要用到晶片研磨機(jī);下一步需要將晶片置于爐管中施以惰性氣體加熱30分鐘至一小時,再在空氣中快速冷卻,可以將所有氧雜質(zhì)去除,這樣晶片的電性(阻值)僅由載流子雜質(zhì)來控制,從而穩(wěn)定電阻,這一步需要使用到高溫快速熱處理設(shè)備;然后使用拋光機(jī)再給晶片拋光;再然后就是使用晶片清洗機(jī)來清洗晶片,用RCA溶液(雙i氧水+氨水或又氧水+鹽酸),將前面工序所形成的污染清除,蕞后在無塵環(huán)境中嚴(yán)格檢查晶片表面的潔凈度、平坦度確保符合規(guī)格要求,蕞后包裝到特殊的容器中保存。
說到LED芯片行業(yè)的發(fā)展歷史,離不開幾個重要的時間節(jié)點(diǎn)。2003年6月,中國科技部首i次提出要發(fā)展半導(dǎo)體照明;2006年“十一五”將半導(dǎo)體照明工程作為國家的一個重大工程進(jìn)行推動;2009年開始,中國各地政府對于LED芯片制造廠商采購MOCVD予以補(bǔ)貼,國內(nèi)LED芯片廠商收入與凈利潤增加,同時競爭者數(shù)量不斷攀升,行業(yè)競爭加劇。
2011年國家發(fā)改委正式發(fā)布中國淘汰白熾燈的政府公告及路線圖,明確提出2016年將全i面禁止白熾燈的銷售。2011年至2016年這幾年是淘汰白熾燈的過渡期,同時也是LED照明行業(yè)的快速發(fā)展期。進(jìn)入 2016 年以后,各大LED芯片廠擴(kuò)產(chǎn)帶來的產(chǎn)能釋放,行業(yè)洗牌前夕來臨。由于產(chǎn)能過剩,LED芯片引起激烈的價格競爭,導(dǎo)致不少芯片廠商營收和凈利潤雙雙下降,眾多中小廠商被i迫退出市場。
國外廠商也開始調(diào)整策略,對國際大廠來說,他們在技術(shù)成熟的LED通用市場已失去明顯的競爭優(yōu)勢,切斷LED“殘腕”或是明智之舉,為避免激烈競爭造成的損失擴(kuò)大。
LED模組就是把LED(發(fā)光二極管)按一定規(guī)則排列在一起再封裝起來,加上一些防水處理組成的產(chǎn)品。就是LED模組。
按密封性又可以分為防水和不防水兩種。防水和不防水的模組主要是看應(yīng)用環(huán)境來區(qū)分的,一般防水的LED模組可以運(yùn)用于戶外照明和宣傳使用,它不會因?yàn)檫M(jìn)水而發(fā)生問題,更適合惡劣的環(huán)境應(yīng)用,而不防水模組則主要是室內(nèi)用的比較多。
按照LED的形狀LED模組分為:直插式LED模組,食人魚LED模組,貼片LED模組。