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軌壓傳感器是由硅膜片、電橋、放大電路三部分組成。當(dāng)軌內(nèi)的壓力導(dǎo)致硅膜片形狀變化時(shí)(近似于在150MPa時(shí)1mm),連接于膜片的電阻層阻值也將改變,改變的電阻值將引起通過(guò)5V電橋(慧斯登電橋)輸出端電壓變化,通過(guò)放大電路的處理,使新號(hào)端輸出的電壓在0-5V之間變化,ECU便根據(jù)此電壓計(jì)
軌壓傳感器是由硅膜片、電橋、放大電路三部分組成。當(dāng)軌內(nèi)的壓力導(dǎo)致硅膜片形狀變化時(shí)(近似于在150MPa時(shí)1mm),連接于膜片的電阻層阻值也將改變,改變的電阻值將引起通過(guò)5V電橋(慧斯登電橋)輸出端電壓變化,通過(guò)放大電路的處理,使新號(hào)端輸出的電壓在0-5V之間變化,ECU便根據(jù)此電壓計(jì)


為滿足納米級(jí)電子束曝光系統(tǒng)的要求,系統(tǒng)設(shè)計(jì)了一個(gè)納米圖形發(fā)生器和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路,并采用機(jī)控制。機(jī)通過(guò)圖形發(fā)生器和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路去驅(qū)動(dòng)等儀器的掃描線圈,從而使電子束偏轉(zhuǎn)并控制束閘的通斷。通過(guò)可以對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣片進(jìn)行圖像采集以及掃描場(chǎng)的校正。配合精密定位的工件臺(tái),還可以實(shí)現(xiàn)曝光場(chǎng)的拼接和套刻。利用配套軟件也可以新建或?qū)攵喾N通用格式的曝光圖形。
曝照所需電子束是由既有的產(chǎn)生的電子束(離子束)提供。
電子射出后,受數(shù)千乃至數(shù)萬(wàn)伏特之加速電壓驅(qū)動(dòng)沿顯微鏡中軸向下移動(dòng),并受中軸周圍磁透鏡作用形成聚焦電子束而對(duì)樣本表面進(jìn)行掃描與圖案刻畫(huà)。掃描方式可分為循序掃描與矢量掃描。
掃描過(guò)程中,電子束的開(kāi)啟與阻斷是由電子束阻斷器所控制。電子束阻斷器通常安裝在磁透鏡組上方,其功效為產(chǎn)生一大偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)使電子束完全偏離中軸而無(wú)法到達(dá)樣本。
(三) 阻劑(光阻)
阻劑是轉(zhuǎn)移電子束曝照?qǐng)D案的媒介。阻劑通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。高能電子束的照射會(huì)改變阻劑材料的特性,再經(jīng)過(guò)顯影后,曝照(負(fù)阻劑)或未曝照(正阻劑)的區(qū)域?qū)?huì)留在基材表面,顯出所設(shè)計(jì)的微影圖案,而后續(xù)的制程將可進(jìn)一步將此圖案轉(zhuǎn)移到阻劑以下的基材中。
