采用連續(xù)式硫化法的情況下，不會有因切去加壓成形產(chǎn)生的毛邊或一般的擠壓處理和在硫化處理槽內(nèi)進(jìn)行處理時橡膠管兩端翹起的部分而導(dǎo)致的橡膠浪費(fèi)，另外能夠縮短制造時間和減少人工費(fèi)用，因此能夠降低輥筒的制造成本，從這些方面考慮，此方法優(yōu)于間歇式硫化法。可以用半導(dǎo)體材料鍺及超純金屬鋁為例說明典型的超純金屬制備及檢測的原理（見區(qū)域熔煉）。

此外，硫化處理后，由于對每個輥筒都進(jìn)行了剪切，所以基本上不會出現(xiàn)上述差別，這樣就可緩解長度方向的電阻值的不均勻。

此外，使用混入了導(dǎo)電性填充劑的電子導(dǎo)電性橡膠的導(dǎo)電輥，其電阻值與施加的電壓有關(guān)，存在電阻值不固定的問題。特別是采用碳黑作為導(dǎo)電性填充劑時，這些傾向更明顯。

由于使用了電子導(dǎo)電性橡膠的導(dǎo)電輥，不論是采用間歇式制法還是連續(xù)硫化處理法，都存在電阻值不均勻的問題，所以在數(shù)字化、彩色化等提高圖像質(zhì)量的技術(shù)日新月異的今天，希望用離子導(dǎo)電性橡膠替代電子導(dǎo)電性橡膠。

在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。鎢具有高熔點(diǎn)、高強(qiáng)度和低的熱膨脹系數(shù)等性能，W/Ti合金具有低的電阻系數(shù)、良好的熱穩(wěn)定性能。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，過99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。

由于具有獨(dú)特的物理化學(xué)性能，當(dāng)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，將會越來越多的應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)中的航空、航天、航海、火箭、原子能、微電子技術(shù)等高科技領(lǐng)域及石油化工、化學(xué)工業(yè)、汽車尾氣凈化等與人類生活息息相關(guān)的領(lǐng)域，并在眾多的應(yīng)用領(lǐng)域中起著關(guān)鍵的的作用，因此被譽(yù)為“首要高技術(shù)金屬”、“現(xiàn)代工業(yè)的維生素”“現(xiàn)代新金屬”，發(fā)達(dá)的國家長期以來一直把視為“戰(zhàn)略性物質(zhì)”。用間歇式硫化法進(jìn)行硫化處理制造輥筒時，由于端部和中央部分會產(chǎn)生壓力和熱傳遞差，所以電阻值不均勻。