PECVD

等離子體化學(xué)氣相沉積。太陽(yáng)光在硅表面的反射損失率高達(dá)35%左右。減反射膜可以提高電池片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，有助于提高光生電流，進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率：另一方面，薄膜中的氫對(duì)電池表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率，減小暗電流，提升開(kāi)路電壓，提高光電轉(zhuǎn)換效率。H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng)，從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價(jià)帶或者導(dǎo)帶。

在真空環(huán)境下及480攝氏度的溫度下，通過(guò)對(duì)石墨舟的導(dǎo)電，使硅片的表面鍍上一層SixNy薄膜。

快速燒結(jié)

經(jīng)過(guò)絲網(wǎng)印刷后的硅片，不能直接使用，需經(jīng)燒結(jié)爐快速燒結(jié)，將有機(jī)樹(shù)脂粘合劑燃燒掉，剩下幾乎純粹的、由于玻璃質(zhì)作用而密合在硅片上的銀電極。當(dāng)銀電極和晶體硅在溫度達(dá)到共晶溫度時(shí)，晶體硅原子以一定的比例融入到熔融的銀電極材料中去，從而形成上下電極的歐姆接觸，提高電池片的開(kāi)路電壓和填充因子兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，使其具有電阻特性，以提高電池片的轉(zhuǎn)換效率。燒結(jié)爐分為預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。預(yù)燒結(jié)階段目的是使?jié){料中的高分子粘合劑分解、燃燒掉，此階段溫度慢慢上升;燒結(jié)階段中燒結(jié)體內(nèi)完成各種物理化學(xué)反應(yīng)，形成電阻膜結(jié)構(gòu)，使其真正具有電阻特性，該階段溫度達(dá)到峰值;降溫冷卻階段，玻璃冷卻硬化并凝固，使電阻膜結(jié)構(gòu)固定地粘附于基片上。

芯片的背部減薄制程

1. Grinding制程：

對(duì)外延片以Lapping的方式雖然加工品質(zhì)較好，但是移除率太低，也只能達(dá)到3um/min左右，如果全程使用Lapping的話，加工就需耗時(shí)約2h，時(shí)間成本過(guò)高。目前的解決方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通過(guò)鉆石砂輪與減薄機(jī)的配合來(lái)達(dá)到快速減薄的目的。

2. Lapping制程

減薄之后再使用6um左右的多晶鉆石液配合樹(shù)脂銅盤(pán)，既能達(dá)到較高的移除率，又能修復(fù)Grinding制程留下的較深刮傷。一般來(lái)說(shuō)切割過(guò)程中發(fā)生裂片都是由于Grinding制程中較深的刮傷沒(méi)有去除，因此此時(shí)對(duì)鉆石液的要求也比較高。

除了裂片之外，有些芯片廠家為了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后還會(huì)在外延片背面鍍銅，此時(shí)對(duì)Lapping之后的表面提出了更高的要求。雖然有些刮傷不會(huì)引起裂片，但是會(huì)影響背鍍的效果。此時(shí)可以采用3um多晶鉆石液或者更小的細(xì)微性來(lái)進(jìn)行Lapping制程，以達(dá)到更好的表面品質(zhì)。