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壓電晶體一般指壓電單晶體,是指按晶體空間點陣長程有序生長而成的晶體。這種晶體結構無對稱中心,因此具有壓電性。如水晶(石英晶體)、鎵酸鋰、鍺酸鋰、鍺酸鈦以及鐵晶體管鈮酸鋰、鉭酸鋰等。
相比較而言,壓電陶瓷壓電性強、介電常數(shù)高、可以加工成任意形狀,但機械品質因子較低、電損耗較大、穩(wěn)定性差,因而適合于大功率換能器和寬帶濾波器等應用,但對高頻、高穩(wěn)定應用不理想。石英等壓電單晶壓電性弱,介電常數(shù)很低,受切型限制存在尺寸局限,但穩(wěn)定性很高,機械品質因子高,多用來作標準頻率控制的振子、高選擇性(多屬高頻狹帶通)的濾波器以及高頻、高溫超聲換能器等。S=V×t/2=V×(t1-t0)/2(2)式中:S為被測距離。近來由于鈮鎂酸鉛Pb(Mg1/3Nb2/3)O3單晶體(Kp ≥90%, d33≥900×10-3C/N, ε≥20,000)性能特異,國內外上都開始這種材料的研究,但由于其居里點太低,離使用化尚有一段距離。
為了適應各種不同的用途和要求,國內外對PZT陶瓷進行了廣泛的摻雜改性研究.PZT壓電陶瓷的摻雜改性主要有以下幾個方面:
.1 軟性摻雜 這種摻雜是指La3+、Bi3+、Nb5+、W6+等離子分別置換Pb2+或(Zr,Ti)4+等離子,在晶格中形成一定量的正離子缺位(主要是A位),由此導致晶粒內疇壁容易移動,結果使矯頑場降低,使陶瓷的極化變得容易,因而相應地提高了壓電性能.但空位的存在增加了陶瓷內部的彈性波的衰減,引起機械品質因數(shù)Qm和電氣品質因數(shù)Qe的降低,但其介電損耗增大,因而這類摻雜的PZT壓電陶瓷通常稱為“軟性”PZT壓電陶瓷,適于制備高靈敏度
注意事項[2]1:為確保可靠性及長使用壽命,請勿在戶外或高于額定溫度的地方使用傳感器。
2:由于超聲波傳感器以空氣作為傳輸介質,因此局部溫度不同時,分界處的反射和折射可能會導致誤動作,風吹時檢出距離也會發(fā)生變化。因此,不應在強制通風機之類的設備旁使用傳感器。
3:噴氣嘴噴出的噴氣有多種頻率,因此會影響傳感器且不應在傳感器附近使用。
4:傳感器表面的水滴縮短了檢出距離。
5:細粉末和棉紗之類的材料在吸收聲音時無法被檢出(反射型傳感器)。
6:不能在真空區(qū)或防爆區(qū)使用傳感器。
7:請勿在有蒸汽的區(qū)域使用傳感器;此區(qū)域的大氣不均勻。將會產生溫度梯度,從而導致測量錯誤。