8分鐘前 壓電陶瓷條價(jià)格低詢價(jià)咨詢「宇海電子」[宇海電子fb7ce2c]內(nèi)容：壓電復(fù)合材料一般是由壓電陶瓷和高分子聚合物{或其它材料}復(fù)合而成的。通過改變復(fù)合材料中各組元所占的體積或重量百分比,各組元自身在三維空間里相互的聯(lián)結(jié)方法,各組元的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及其其在空間配置上的對稱性可大幅度地調(diào)整復(fù)合材料的某些物理性質(zhì)。因此可根據(jù)實(shí)際需要設(shè)計(jì)壓電復(fù)合材料,制造性能較好的壓電換能器。壓電陶瓷及其器件是近代電子技術(shù)領(lǐng)域中不可缺少的重要組成部分，它在現(xiàn)代通訊、雷達(dá)、聲納、自動(dòng)測量與控制、超聲換能、引燃引爆、超聲滅菌、超聲功率等方面均得到廣泛應(yīng)用。例如鋯鈦酸鉛壓電陶瓷和高分子聚合物的1-3復(fù)合材料,其等靜壓壓電應(yīng)變常數(shù)dh{=d33+2d31}比鋯鈦酸鉛壓電陶瓷的dh值大的多,而且其電容率也有較大的下降。

壓電晶體一般指壓電單晶體，是指按晶體空間點(diǎn)陣長程有序生長而成的晶體。這種晶體結(jié)構(gòu)無對稱中心，因此具有壓電性。如水晶（石英晶體）、鎵酸鋰、鍺酸鋰、鍺酸鈦以及鐵晶體管鈮酸鋰、鉭酸鋰等。

相比較而言，壓電陶瓷壓電性強(qiáng)、介電常數(shù)高、可以加工成任意形狀，但機(jī)械品質(zhì)因子較低、電損耗較大、穩(wěn)定性差，因而適合于大功率換能器和寬帶濾波器等應(yīng)用，但對高頻、高穩(wěn)定應(yīng)用不理想。石英等壓電單晶壓電性弱，介電常數(shù)很低，受切型限制存在尺寸局限，但穩(wěn)定性很高，機(jī)械品質(zhì)因子高，多用來作標(biāo)準(zhǔn)頻率控制的振子、高選擇性（多屬高頻狹帶通）的濾波器以及高頻、高溫超聲換能器等。S=V×t/2=V×（t1－t0）/2（2）式中：S為被測距離。近來由于鈮鎂酸鉛Pb(Mg1/3Nb2/3)O3單晶體（Kp ≥90%, d33≥900×10-3C/N, ε≥20,000）性能特異，國內(nèi)外上都開始這種材料的研究，但由于其居里點(diǎn)太低，離使用化尚有一段距離。

為了適應(yīng)各種不同的用途和要求,國內(nèi)外對PZT陶瓷進(jìn)行了廣泛的摻雜改性研究.PZT壓電陶瓷的摻雜改性主要有以下幾個(gè)方面:

.1　軟性摻雜　這種摻雜是指La3+、Bi3+、Nb5+、W6+等離子分別置換Pb2+或(Zr,Ti)4+等離子,在晶格中形成一定量的正離子缺位(主要是A位),由此導(dǎo)致晶粒內(nèi)疇壁容易移動(dòng),結(jié)果使矯頑場降低,使陶瓷的極化變得容易,因而相應(yīng)地提高了壓電性能.但空位的存在增加了陶瓷內(nèi)部的彈性波的衰減,引起機(jī)械品質(zhì)因數(shù)Qm和電氣品質(zhì)因數(shù)Qe的降低,但其介電損耗增大,因而這類摻雜的PZT壓電陶瓷通常稱為“軟性”PZT壓電陶瓷,適于制備高靈敏度

.2　硬性摻雜　這類摻雜與離子軟性摻雜的作用相反:離子置換后在晶格中形成一定量的負(fù)離子(氧位)缺位,因而導(dǎo)致晶胞收縮,抑制疇壁運(yùn)動(dòng),降低離子擴(kuò)散速度,矯頑電場增加,從而使極化變得很困難,壓電性能降低,Qm和Qe變大,介電損耗減少.具有這類摻雜物的PZT壓電陶瓷稱為“硬性”PZT壓電陶瓷,的傳感器元件.這類摻雜報(bào)道較多的是La3+和Nb5+[

注意事項(xiàng)[2]1：為確保可靠性及長使用壽命，請勿在戶外或高于額定溫度的地方使用傳感器。

2：由于超聲波傳感器以空氣作為傳輸介質(zhì)，因此局部溫度不同時(shí)，分界處的反射和折射可能會(huì)導(dǎo)致誤動(dòng)作，風(fēng)吹時(shí)檢出距離也會(huì)發(fā)生變化。因此，不應(yīng)在強(qiáng)制通風(fēng)機(jī)之類的設(shè)備旁使用傳感器。

3：噴氣嘴噴出的噴氣有多種頻率，因此會(huì)影響傳感器且不應(yīng)在傳感器附近使用。

4：傳感器表面的水滴縮短了檢出距離。

5：細(xì)粉末和棉紗之類的材料在吸收聲音時(shí)無法被檢出（反射型傳感器）。

6：不能在真空區(qū)或防爆區(qū)使用傳感器。

7：請勿在有蒸汽的區(qū)域使用傳感器；此區(qū)域的大氣不均勻。將會(huì)產(chǎn)生溫度梯度，從而導(dǎo)致測量錯(cuò)誤。