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永康萬(wàn)芯mos管報(bào)價(jià)信賴推薦「炫吉電子」愛(ài)總是讓人哭讓人覺(jué)得不滿足

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最后更新: 2024-01-19 20:37
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1分鐘前 永康萬(wàn)芯mos管報(bào)價(jià)信賴推薦「炫吉電子」[炫吉電子68cce23]內(nèi)容:

公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來(lái)定義導(dǎo)通阻抗,對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用來(lái)說(shuō),RDS(ON)也是重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流有關(guān),但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng),RDS(ON)是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外,慢慢升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了熱阻抗參數(shù),其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的簡(jiǎn)單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。

下邊是MOS無(wú)效的六大緣故:

1:山崩無(wú)效(工作電壓無(wú)效),也就是人們常說(shuō)的漏源間的BVdss工作電壓超出MOSFET的額定電流,而且超出做到了一定的功能進(jìn)而導(dǎo)致MOSFET無(wú)效。

2:SOA無(wú)效(電流量無(wú)效),既超過(guò)MOSFET安全工作區(qū)造成無(wú)效,分成Id超過(guò)器件規(guī)格型號(hào)無(wú)效及其Id過(guò)大,耗損過(guò)高器件長(zhǎng)期熱累積而導(dǎo)致的無(wú)效。

3:體二極管無(wú)效:在橋式、LLC等有效到體二極管開(kāi)展續(xù)流的網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,因?yàn)轶w二極管遭到影響而導(dǎo)致的無(wú)效。

4:串聯(lián)諧振無(wú)效:在串聯(lián)應(yīng)用的環(huán)節(jié)中,柵極及電源電路寄生參數(shù)導(dǎo)致波動(dòng)造成的無(wú)效。

5:靜電感應(yīng)無(wú)效:在冬秋時(shí)節(jié),因?yàn)樯眢w及機(jī)器設(shè)備靜電感應(yīng)而導(dǎo)致的器件無(wú)效。

6:柵極工作電壓無(wú)效:因?yàn)闁艠O遭到出現(xiàn)異常工作電壓頂i峰,而導(dǎo)致柵極柵氧層無(wú)效。

公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。

用電源IC立即驅(qū)動(dòng)MOS管

一個(gè)好的MOS管驅(qū)動(dòng)電路有下面幾點(diǎn)規(guī)定:

(1)開(kāi)關(guān)管啟用瞬間,驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能輸出非常大的電流,使MOS管柵源極間工作電壓快速升高到所需值,確保開(kāi)關(guān)管能迅速開(kāi)啟且不會(huì)有上升沿的高頻率震蕩。

(2)電源開(kāi)關(guān)通斷期內(nèi),驅(qū)動(dòng)電路能確保MOS管柵源極間工作電壓長(zhǎng)期保持,且有效通導(dǎo)。

(3)關(guān)閉一瞬間驅(qū)動(dòng)電路,能供應(yīng)一個(gè)盡量低阻抗的通道,供MOS管柵源極間電容工作電壓的迅速泄流,確保開(kāi)關(guān)管能迅速關(guān)閉。

(4)驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)造簡(jiǎn)易靠譜、耗損小。

(5)依據(jù)具體情況開(kāi)展防護(hù)。

在控制模塊電源中,常見(jiàn)的是電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOS管。應(yīng)用中,應(yīng)當(dāng)留意較大驅(qū)動(dòng)高值電流量、MOS管的分布電容2個(gè)主要參數(shù)。電源IC的驅(qū)動(dòng)能力、MOS分布電容尺寸、驅(qū)動(dòng)電阻器電阻值都將危害MOS管電源開(kāi)關(guān)速率。假如挑選MOS管分布電容較為大,電源IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)能力又不夠時(shí),必須在驅(qū)動(dòng)電路上提高驅(qū)動(dòng)能力,常應(yīng)用圖騰柱電源電路提升電源IC驅(qū)動(dòng)能力。

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