區(qū)域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 厘米時，純度相當于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經(jīng)過特殊處理。

由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1，要加強化學提純方法除去這些雜質(zhì)，然后再進行區(qū)熔提純。電子級純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應測量雜質(zhì)（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器,其分辨率已接近于理論數(shù)值。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。

濺射靶材ITO靶材的生產(chǎn)工藝ITO靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結(jié)法。各種生產(chǎn)工藝及其特點簡介如下：

熱等靜壓法：ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機械性能好，但設(shè)備投入高，生產(chǎn)成本高，產(chǎn)品的缺氧率高。許多珍貴金屬回收服務企業(yè)采用先進的精練技術(shù)提取金，銀，鉑等金屬。

1：金屬鍍鈀，鍍鈀銅提鈀技術(shù)：首先把鍍鈀銅等表面鍍鈀料放入容器中，再加入自配退鈀溶液，數(shù)秒中后表面鈀退凈，取出鍍鈀銅基體(此方法對基體無傷害,再用自配化學試劑，鈀和溶液分離

2：合金含鈀，銅鈀合金提鈀技術(shù)：把銅鈀合金放入容器中，加入自配化學品把銅鈀合金溶解成液體，再用自配化學試劑把鈀和溶液分離。

3：廢鈀碳催化劑提鈀，首先用物理原理把碳等有機物去除，剩下金屬鈀，再用化學試劑溶解金屬鈀，再進行下一步鈀分離。