鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。還原所制得的稀土金屬產(chǎn)品含稀土95%～99%，主要用作鋼鐵、有色金屬及其合金的添加劑，以及用作生產(chǎn)稀土永磁材料、貯氫材料等功能材料的原料。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應。

各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。

區(qū)域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 厘米時，純度相當于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經(jīng)過特殊處理。

由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1，要加強化學提純方法除去這些雜質(zhì)，然后再進行區(qū)熔提純。電子廢料與黃金等貴金屬成品之間的差價是比較固定的，而金銀做為貴金屬，不論在任何時候總是增值的，因此銷售市場不存在問題。電子級純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應測量雜質(zhì)（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器,其分辨率已接近于理論數(shù)值。

各種純度鋁中的雜質(zhì)含量及剩余電阻率如表2所示。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。超純金屬超純的純度也可以用剩余電阻率來測定，其值約為2×10-5。現(xiàn)代科學技術(shù)的發(fā)展趨勢是對金屬純度要求越來越高。因為金屬未能達到一定純度的情況下，金屬特性往往為雜質(zhì)所掩蓋。不僅是半導體材料，其他金屬也有同樣的情況，由于雜質(zhì)存在影響金屬的性能。

鎢過去用作燈泡的燈絲，由于脆性而使處理上有困難，在適當提純之后，這種缺點即可以克服（鎢絲也有摻雜及加工問題）。

金屬靶材材質(zhì)分為：

鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。因此需精密的量測，故要求有一套高精密的量測系統(tǒng)來支持，方能達到產(chǎn)品的設(shè)計要求。