藍光LED通常采用Al2O3襯底，Al2O3襯底硬度很高、熱導率和電導率低，如果采用正裝結構，一方面會帶來防靜電問題，另一方面，在大電流情況下散熱也會成為較為主要的問題。

同時由于正面電極朝上，會遮掉一部分光，發(fā)光效率會降低。

大功率藍光LED通過芯片倒裝技術可以比傳統(tǒng)的封裝技術得到更多的有效出光。

現(xiàn)在主流的倒裝結構做法是：首先制備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸藍光LED芯片，同時制備出比藍光LED芯片略大的硅襯底，并在上面制作出供共晶焊接的金導電層及引出導線層(超聲金絲球焊點)。

然后，利用共晶焊接設備將大功率藍光LED芯片與硅襯底焊接在一起。

這種結構的特點是外延層直接與硅襯底接觸，硅襯底的熱阻又遠遠低于藍寶石襯底，所以散熱的問題很好地解決了。

由于倒裝后藍寶石襯底朝上，成為出光面，藍寶石是透明的，因此出光問題也得到解決。

以上就是LED技術的相關知識，相信隨著科學技術的發(fā)展，未來的LED燈回越來越高i效，使用壽命也會由很大的提升，為我們帶來更大便利。

LED芯片材料磊晶種類

1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs

3.MOVPE：metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN

4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs

5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(雙異型結構) GaAlAs/GaAs

6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs

2003年6月中國科技部首i次提出我國發(fā)展半導體照明，標志著我國半導體照明項目正式啟動。

2006年的“十一五”將半導體照明工程作為國家的一個重大工程進行推動，在國家政策和資金的傾斜支持下，2010年我國LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模超1500億元。

2011年國家發(fā)改委正式發(fā)布中國淘汰白熾燈的政府公告及路線圖，明確提出2016年將全i面禁止白熾燈的銷售。2011年至2016年為淘汰白熾燈的過渡期，同時也是LED照明行業(yè)的快速發(fā)展期。

中國LED產(chǎn)業(yè)起步階段，芯片主要依賴進口。近年來，在國家政府政策支持下，我國LED芯片廠商加大研發(fā)投入，國內(nèi)LED芯片行業(yè)發(fā)展迅速，產(chǎn)能逐漸向中國大陸轉(zhuǎn)移，2017年國內(nèi)LED芯片供過于求苗頭初現(xiàn)，主流芯片廠開始轉(zhuǎn)向高i端產(chǎn)能并進行擴產(chǎn)。