在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特點。如今開發出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。不僅是半導體材料，其他金屬也有同樣的情況，由于雜質存在影響金屬的性能。經過研究發現，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。

區域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 厘米時，純度相當于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經過特殊處理。

由于鍺中有少數雜質如磷、鋁、硅、硼的分配系數接近于1或大于1，要加強化學提純方法除去這些雜質，然后再進行區熔提純。電子級純的區熔鍺錠用霍爾效應測量雜質（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。如今的iTO靶材有兩種．一種是采用納米狀態的氧化銦混合后燒結，一種是采用銦錫合金靶材。經切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器,其分辨率已接近于理論數值。

超純金屬的檢測方法極為困難。痕量元素的化學分析系指一克樣品中含有微克級（10克/克）、毫微克級（10克/克）、微微克級（10克/克）雜質的確定。常用的手段有中子和帶電粒子活化分析，原子吸收光譜分析，熒光分光光度分析，質譜分析，化學光譜分析及氣體分析等。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。在單晶體高純材料中，晶體缺陷對材料性能起顯著影響，稱為物理雜質，主要依靠在晶體生長過程中控制單晶平穩均勻的生長來減少晶體缺陷。

綁定的適用范圍

技術上來說表面平整可進行金屬化處理的靶材都可以用我司銦焊綁定技術綁定銅背靶來提高濺射過程的散熱性、提高靶材利用率。

建議綁定的靶材：

ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結靶材；

錫、銦等軟金屬靶；

靶材太薄、靶材太貴的情況等。

但下列情況綁定有弊端：

1.熔點低的靶材，像銦、硒等，金屬化的時候可能會變軟變形；

2.貴金屬靶材，一是實際重量易出現分歧，二是金屬化以及解綁的時候都會有浪費料，建議墊一片銅片。