柵極長(zhǎng)度低于 1nm 的垂直 MoS2 晶體管

“超大規(guī)模晶體管對(duì)下一代電子設(shè)備的開發(fā)很感興趣。盡管已經(jīng)報(bào)道了原子級(jí)薄的二硫化鉬 (MoS 2 ) 晶體管，但柵極長(zhǎng)度低于 1 nm 的器件的制造一直具有挑戰(zhàn)性。在這里，我們使用石墨烯層的邊緣作為柵電極展示了具有原子級(jí)薄溝道和亞 1 nm 物理柵極長(zhǎng)度的側(cè)壁 MoS 2晶體管。該方法使用通過化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)的大面積石墨烯和 MoS 2薄膜在 2 英寸晶圓上制造側(cè)壁晶體管。這些器件具有高達(dá) 1.02 × 10 5的開/關(guān)比和低至 117 mV dec -1的亞閾值擺幅值. 模擬結(jié)果表明，MoS 2側(cè)壁有效溝道長(zhǎng)度在開啟狀態(tài)下接近0.34 nm，在關(guān)閉狀態(tài)下接近4.54 nm。這項(xiàng)工作可以促進(jìn)摩爾定律，即下一代電子產(chǎn)品中晶體管的按比例縮小。”

快充市場(chǎng)的未來趨勢(shì)（一）

倍思于2020年推出120W GaN（納微半導(dǎo)體供應(yīng)）+SiC（APS供應(yīng)）快充產(chǎn)品，取得市場(chǎng)巨大反饋，泰科天潤(rùn)、美浦森、安森美等SiC元件廠也陸續(xù)達(dá)成在Power Delivery快充領(lǐng)域的大量出貨。

值得注意的是，汽車市場(chǎng)的快充輸出界面逐漸成為標(biāo)配，在大功率車充市場(chǎng)正逐漸興起的趨勢(shì)下，未來數(shù)位產(chǎn)品能耗與電池容量限制將再推升第三代半導(dǎo)體GaN與SiC的大規(guī)模應(yīng)用。

然而手機(jī)快充的驚人增長(zhǎng)繼續(xù)拉動(dòng)市場(chǎng)的不斷成長(zhǎng)，讓身為“三代半”雙星之一的GaN交出了一份漂亮的。

半導(dǎo)體行業(yè)依然在挑戰(zhàn)中前行。后疫情時(shí)代、產(chǎn)能緊張、地緣政治等因素仍深刻地影響著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈及生態(tài)。2022年，半導(dǎo)體行業(yè)如何發(fā)展？新的挑戰(zhàn)又會(huì)從何而來？

為了厘清這些問題，圍繞熱點(diǎn)話題、熱門技術(shù)和應(yīng)用、重大事件等多維度梳理，為上下游企業(yè)提供參考鏡鑒。

鋰電池原材料價(jià)格上漲7倍，供應(yīng)鏈面臨挑戰(zhàn)

“從 2021 年初到 2022 年 5 月，鋰價(jià)格上漲了 7 倍以上，鈷價(jià)格上漲了一倍以上。同期鎳價(jià)幾乎翻了一番，達(dá)到近十年來未見的水平，”IEA 在發(fā)布的《2022 年電動(dòng)汽車展望 》報(bào)告中表示上周。

業(yè)內(nèi)人士表示，鋰離子電池的需求旺盛，但電池供應(yīng)鏈可能還沒有準(zhǔn)備好，并承認(rèn)礦物材料的短缺構(gòu)成了挑戰(zhàn)。

消息人士稱，鋰價(jià)格的飆升是由三元電池和磷酸鐵鋰（LFP）電池制造商的需求推動(dòng)的。他們表示，磷酸鐵鋰電池生產(chǎn)的擴(kuò)張速度比三元電池增長(zhǎng)更快，規(guī)模更大，這主要是受中國(guó)電池制造商的推動(dòng)，它們占據(jù)了 99% 的磷酸鐵鋰產(chǎn)量。

需求變?nèi)酰?季DDR3與DDR4價(jià)格將季減3~8%

由于俄烏沖突、疫情以及高通脹等因素沖擊消費(fèi)性電子買氣，其中屬consumer DRAM相關(guān)應(yīng)用的筆電、電視出貨面臨下修，加上DDR3因價(jià)格屬于相對(duì)高點(diǎn)，買方在庫存與成本壓力之下，購買力道明顯收斂，預(yù)估DDR3與DDR4需求將同步下滑，市場(chǎng)拉貨動(dòng)能持續(xù)走弱。而韓廠對(duì)于退出DDR3供給的計(jì)劃不變，但下半年仍有陸廠及臺(tái)廠新增產(chǎn)能開出。在需求走弱，供給增加的情形下，賣方的議價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，難以支撐第三季consumer DRAM價(jià)格，預(yù)測(cè)DDR3與DDR4價(jià)格將季減3~8%。