5分鐘前 半導(dǎo)體氧化設(shè)備報(bào)價(jià)誠(chéng)信企業(yè) 蘇州潤(rùn)璽環(huán)保[蘇州潤(rùn)璽f9f1caf]內(nèi)容：為什么零部件需要去除油污:減少部件表面上的離子雜質(zhì)。滿足容器排氣（outgassing)性能的測(cè)試 (由第三方實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)).此測(cè)試檢測(cè)出了在真空下嵌入金屬表面的有機(jī)材料的數(shù)量和成分。如果測(cè)試中的數(shù)量太大，則意味著終的加工設(shè)備很難將容器真空至全真空狀態(tài)。815 GD 在這些測(cè)試中都有的表現(xiàn)， 主要表現(xiàn)為的清潔能力以及測(cè)試中未發(fā)現(xiàn)清洗劑的殘留。

使用過程產(chǎn)品: AquaVantage 815 GD濃度: 10%溫度: 131-140°F (55°C)設(shè)備: 2 套單獨(dú)的清洗流程, 200L 超聲波設(shè)備, 4000L 浸沒設(shè)備。沖洗: 3 個(gè)階段: 自來水, 去離子水以及終的去離子水. 所有的沖洗需要在接近 22 – 25°C的環(huán)境進(jìn)行.通過一個(gè)閉環(huán)去離子水系統(tǒng)(水通過去離子水床的連續(xù)循環(huán))，終的沖洗被控制在至少4兆歐姆的電阻率。結(jié)論: 具有持續(xù)良好的清潔能力 。BHC 的優(yōu)勢(shì): 的排氣性能和清洗部件能力。使用BRULIN815GD清洗的半導(dǎo)體設(shè)備零部件，為更好地去除水分和揮發(fā)極低的有機(jī)物，要需零部件進(jìn)行后處理：在惰性氣體、真空度為0.13Pa、設(shè)定溫度為500K（227°）的烘烤箱進(jìn)行烘烤，進(jìn)行裝配。

半導(dǎo)體清洗設(shè)備公司提供濕法設(shè)備，包含濕法槽式清洗設(shè)備及濕法單片式清洗設(shè)備，主要應(yīng)用于集成電路、微機(jī)電系統(tǒng)、平板顯示等領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體芯片工藝技術(shù)的發(fā)展，工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入 28 納米、14 納米等更先進(jìn)等級(jí)，隨著工藝流程的延長(zhǎng)且越趨復(fù)雜，每個(gè)晶片在整個(gè)制造過程中需要甚至超過 200 道清洗步驟，晶圓清洗變得更加復(fù)雜、重要及富有挑戰(zhàn)性；清洗設(shè)備及工藝也必須推陳出新，使用新的物理和化學(xué)原理，在滿足使用者的工藝需求條件下，兼顧降低晶圓清洗成本和環(huán)境保護(hù)。

根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線。濕法清洗是針對(duì)不同的工藝需求，采用特定的化學(xué)藥液和去離子水，對(duì)晶圓表面進(jìn)行無損傷清洗，以去除晶圓制造過程中的顆粒、自然氧化層、有機(jī)物、金屬污染、犧牲層、拋光殘留物等物質(zhì)，可同時(shí)采用超聲波、加熱、真空等輔助技術(shù)手段；干法清洗是指不使用化學(xué)溶劑的清洗技術(shù)，主要包括等離子清洗、超臨界氣相清洗、束流清洗等技術(shù)。