CT檢測(cè)應(yīng)用

工業(yè)CT與傳統(tǒng)的X射線探傷和超聲波探傷相比，具有空間分辨率高、無(wú)損檢測(cè)、速度快等特點(diǎn)，因而在工業(yè)產(chǎn)品的檢測(cè)中具有其他方法無(wú)可取代的作用。

對(duì)工件的CT掃描斷層圖或三維圖像進(jìn)行分析，能夠快速、準(zhǔn)確、直觀的檢測(cè)到產(chǎn)品的內(nèi)部缺陷（缺陷類型、位置、尺寸等）。如裂紋、氣孔、疏松、夾雜等缺陷，檢測(cè)精度可達(dá)1um，同時(shí)給出鋼管的壁厚分析、同心度、單位長(zhǎng)度的重量等；亦可用于發(fā)電設(shè)備的實(shí)時(shí)檢測(cè)。

CT檢測(cè)相關(guān)應(yīng)用

在大型部件檢測(cè)方面，特別適用于火箭、元件、、飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)等的無(wú)損檢測(cè)。大型工業(yè)CT的主要技術(shù)指標(biāo)大約為待測(cè)物體直徑1—2.5米，有效掃描高度2—8米，承重可達(dá)數(shù)十噸，空間分辨率為1線對(duì)/毫米，密度分辨率0.5%，裂紋分辨0.05毫米×15毫米，掃描時(shí)間每層3分鐘，圖像重建時(shí)間6秒，工作臺(tái)平移空位精度0.02毫米，工作臺(tái)旋轉(zhuǎn)空位精度10角秒。所用的輻射裝置可用X射線機(jī)，亦可用60Co、137Cs或192Ir的γ射線源。

CT檢測(cè)同位素輻射源

同位素輻射源的優(yōu)點(diǎn)是它的能譜簡(jiǎn)單，消耗電能少，設(shè)備體積小且相對(duì)簡(jiǎn)單，而且輸出穩(wěn)定。但是其缺點(diǎn)是輻射源的強(qiáng)度低，為了提高源的強(qiáng)度必須加大源的體積，導(dǎo)致“焦點(diǎn)”尺寸增大。在工業(yè)CT中較少實(shí)際應(yīng)用。

同步輻射本來(lái)是連續(xù)能譜，經(jīng)過(guò)單色器選擇可以得到定向的幾乎單能的高強(qiáng)度X射線，因此可以做成高空間分辨率的CT系統(tǒng)。但是由于射線能量為20KeV到30KeV，實(shí)際只能用于檢測(cè)1mm左右的小樣品，用于一些特殊的場(chǎng)合。

CT檢測(cè)平板探測(cè)器

平板探測(cè)器通常用表面覆蓋數(shù)百微米的閃爍晶體（如CsI）的非晶態(tài)硅或非晶態(tài)硒做成。像素尺寸127 或200μm，平板尺寸大約45cm（18in）。讀出速度大約3～7.5幀/s。優(yōu)點(diǎn)是使用比較簡(jiǎn)單，沒(méi)有圖像扭曲。圖像質(zhì)量接近于膠片照相，基本上可以作為圖像增強(qiáng)器的升級(jí)換代產(chǎn)品。主要缺點(diǎn)是表面覆蓋的閃爍晶體不能太厚，對(duì)高能X 射線探測(cè)效率低；難以解決散射和竄擾問(wèn)題，使動(dòng)態(tài)范圍減小。在較高能量應(yīng)用時(shí)，必須對(duì)電子電路進(jìn)行射線屏蔽。一般說(shuō)使用在150kV以下的低能效果較好。