純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，因?yàn)榘胁牡募兌葘?duì)薄膜的性能影響很大。不過在實(shí)際應(yīng)用中，對(duì)靶材的純度要求也不盡相同。按照非貴金屬相的形態(tài)和分布，可以分為：貴金屬層狀復(fù)合材料、彌散強(qiáng)化貴金屬復(fù)合材料、顆粒增強(qiáng)責(zé)金屬復(fù)合材料和貴金屬纖維復(fù)合材料四類。例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對(duì)靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質(zhì)含量：靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對(duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對(duì)堿金屬含量和性元素含量都有特殊要求。

一般來說，利用濺鍍制程進(jìn)行薄膜披覆有幾項(xiàng)特點(diǎn)：(1)金屬、合金或絕緣物均可做成薄膜材料。(2)再適當(dāng)?shù)脑O(shè)定條件下可將多元復(fù)雜的靶材制作出同一組成的薄膜。(3)利用放電氣氛中加入氧或其它的活性氣體，可以制作靶材物質(zhì)與氣體分子的混合物或化合物。(4)靶材輸入電流及濺射時(shí)間可以控制，容易得到的膜厚。雜質(zhì)含量：靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。(5)較其它制程利于生產(chǎn)大面積的均一薄膜。(6)濺射粒子幾不受重力影響，靶材與基板位置可自由安排。(7)基板與膜的附著強(qiáng)度是一般蒸鍍膜的10倍以上，且由于濺射粒子帶有高能量，在成膜面會(huì)繼續(xù)表面擴(kuò)散而得到硬且致密的薄膜，同時(shí)此高能量使基板只要較低的溫度即可得到結(jié)晶膜。

磁控濺射原理：電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過程中與原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。這是因?yàn)檫@種材料在焊接時(shí)的流動(dòng)性相當(dāng)優(yōu)越，光學(xué)玻璃用的各種鉑管材都是用這種方式制造，但在大批量生產(chǎn)某種規(guī)格的管材時(shí)，則會(huì)采納穿孔后拉拔成型（例如銀管）與無縫鋼管的生產(chǎn)原理殊同。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場(chǎng)洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場(chǎng)的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng)，該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長，在運(yùn)動(dòng)過程中不斷的與原子發(fā)生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材，終沉積在基片上。