3分鐘前 淮安半導體清洗設備價格信息推薦「在線咨詢」[蘇州潤璽f9f1caf]內容：

干法清洗主要是采用氣態的刻蝕不規則分布的有結構的晶圓二氧化硅層，雖然具有對不同薄膜有高選擇比的優點，但可清洗污染物比較單一，目前在 28nm 及以下技術節點的邏輯產品和存儲產品有應用。晶圓制造產線上通常以濕法清洗為主，少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結合的方式互補所短，在短期內濕法工藝和干法工藝無相互替代的趨勢，目前濕法清洗是主流的清洗技術路線，占比達芯片制造清洗步驟數量的 90%。

在濕法清洗工藝路線下，目前主流的清洗設備主要包括單片清洗設備、槽式清洗設備、組合式清洗設備和批式旋轉噴淋清洗設備等，其中單片清洗設備市場份額占比高。濕法清洗工藝路線下主流的清洗設備存在先進程度的區分，主要體現在可清洗顆粒大小、金屬污染、腐蝕均一性以及干燥技術等標準。目前至純科技主要生產濕法清洗設備，提供槽式設備（槽數量按需配置）及單片機設備（8-12 反應腔），均可以覆蓋 8-12 寸晶圓制造的濕法工藝設備。

隨著半導體芯片工藝技術節點進入 28 納米、14 納米等更先進等級，工藝流程的延長且越趨復雜，產線成品率也會隨之下降。造成這種現象的一個原因就是先進制程對雜質的敏感度更高，小尺寸污染物的清洗更困難。解決的方法主要是增加清洗步驟。每個晶片在整個制造過程中需要甚至超過 200 道清洗步驟，晶圓清洗變得更加復雜、重要及富有挑戰性。

半導體氧化設備具有可密封容器(或氧化室)，將具有內置加熱器的加熱臺設置于這一氧化室的室內部。在加熱臺上設置襯底支座， 在襯底支座上放置半導體樣品(或半導體襯底)。氧化室還設有用于向室內部提供包括蒸汽的氧化氣氛的輸入管和在氧化過程結束后用于排出室內部 中的氧化氣氛的排出管。根據具有這樣的結構的半導體氧化設備，有可能以相對高的復現性使半導體樣品均勻氧化。