超聲波掃描顯微鏡測(cè)試分類(lèi)：

按接收信息模式可分為反射模式與透射模式。

按掃描方式分可分為 C掃，B掃，X掃，Z掃，分焦距掃描，分頻率掃描等多種方式

超聲波掃描顯微鏡的應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體電子行業(yè)：半導(dǎo)體晶圓片、封裝器件、大功率器件IGBT、紅外器件、光電傳感器件、SMT貼片器件、MEMS等;

材料行業(yè)：復(fù)合材料、鍍膜、電鍍、注塑、合金、超導(dǎo)材料、陶瓷、金屬焊接、摩擦界面等；

生物醫(yī)學(xué)：細(xì)胞動(dòng)態(tài)研究、骨骼、血管的研究等.

塑料封裝IC、晶片、PCB、LED

超聲波掃描顯微鏡應(yīng)用范圍：

超聲波顯微鏡的在失效分析中的優(yōu)勢(shì)

非破壞性、無(wú)損檢測(cè)材料或IC芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)

可分層掃描、多層掃描

實(shí)施、直觀的圖像及分析

缺陷的測(cè)量及缺陷面積和數(shù)量統(tǒng)計(jì)

可顯示材料內(nèi)部的三維圖像

對(duì)人體是沒(méi)有傷害的

可檢測(cè)各種缺陷（裂紋、分層、夾雜物、附著物、空洞、孔洞等）

偵測(cè)到亮點(diǎn)之情況；

會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷：1.漏電結(jié)；2.解除毛刺；3.熱電子效應(yīng)；4閂鎖效應(yīng)； 5氧化層漏電；6多晶硅須；7襯底損失；8.物理?yè)p傷等。 偵測(cè)不到亮點(diǎn)之情況 不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)之故障：1.亮點(diǎn)位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面積金屬線(xiàn)底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路；4.表面 反型層；5.硅導(dǎo)電通路等。

點(diǎn)被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線(xiàn)底下的漏電位置，這種情 況可采用Backside模式，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及 拋光處理。

EMMI微光顯微鏡

微光顯微鏡（Emission Microscope, EMMI）是常用漏電流路徑分析手段。對(duì)于故障分析而言，微光顯微鏡（Emission Microscope, EMMI）是一種相當(dāng)有用且效率極高的分析工具。主要偵測(cè)IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination會(huì)放出光子（Photon）。如在P-N結(jié)加偏壓，此時(shí)N阱的電子很容易擴(kuò)散到P阱，而P的空穴也容易擴(kuò)散至N，然后與P端的空穴（或N端的電子）做EHP Recombination。在故障點(diǎn)定位、尋找近紅外波段發(fā)光點(diǎn)等方面，微光顯微鏡可分析P-N接面漏電；P-N接面崩潰；飽和區(qū)晶體管的熱電子；氧化層漏電生的光子激發(fā)；Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等問(wèn)題.