7分鐘前 泰興計算機殼曝光顯影加工設計歡迎來電「利成感光」[利成感光38dbdb8]內容：過量曝光會使圖形線條變細，蝕刻產品線條變粗。所以的辦法是依據顯影的干膜光亮程度，圖像清晰度，圖案線條與底片相符，曝光設備參數和感光性能，確定適合的曝光時間。曝光顯影加工是半導體工業制程中的一種加工方法，也被稱為光刻工藝。它是通過在芯片表面上涂覆一層光刻膠，并使用掩膜在光刻膠上曝光出所需要的芯片圖案，通過顯影來去除未曝光的部分，將芯片圖案準確地轉移到芯片表面的制程。

曝光顯影是一種工程加工技術，用于制造半導體芯片、液晶顯示器等微電子器件，以及印刷和攝影等領域。曝光顯影使用特定的光刻膠和掩膜，在曝光和顯影兩個步驟中將所需的圖案或形狀轉移到底材表面。通常，曝光步驟是將光線聚焦在光刻膠上，而顯影步驟則是將底材浸泡在顯影劑中達到消除未曝光區域的目的。通過曝光顯影技術，可以在微米尺度上制造出高精度的微電子元器件和芯片。

3D玻璃顯影曝光技術在HW mateRs用到了此技術，該后蓋3D玻璃8曲面，弧面曲率大，

設計八曲面玻璃主要是為了滿足如下兩點需求：

1:為壓縮整機厚度，后蓋弧度大可增加架構空間，另未來5G的發展，器件增加，空間需加大;

顯影液去除并且清洗（rinse）：達到顯影時間后，使用DIW立即沖洗晶圓表面。去離子水不僅可以使顯影過程終止，而且會把顯影后缺陷顆粒沖洗掉。在沖洗過程中，晶圓旋轉產生的離心力也對去除表面顆粒有很大的幫助。