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公司基本資料信息
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在硅酸鹽體系電解液中加入偏釩酸銨,研究鎂合金表面所成微弧氧化膜的顏色及其變化,探討偏釩酸銨質量濃度變化對膜層外觀質量、膜厚、微觀形貌、物相組成及耐蝕性的影響.結果表明:NH4VO_3的加入使得微弧氧化膜呈現出一定的彩色,膜層中MgV2O_5、Mg3V2O_8和AlVO_3等物相的生成是導致膜層呈現彩色的根本原因;NH4VO_3質量濃度的增加,使得膜層的厚度不斷增大,耐蝕性出現波浪變化的形式,但總體上呈不斷增大的趨勢,膜層的耐蝕性比鎂合金基體高出8倍.
本文報道了一種以Zn(NO_(3))_(2)與偏釩酸銨為原料,采用水熱法合成的水合釩酸鋅(Zn_(3)V_(2)O_(7)(OH)_(2)·2H_(2)O)材料。XRD結果表明,該材料具有高純的晶體結構;掃描電子顯微鏡表明,該材料是由一維納米棒構成。而且該材料作為可充鋅離子電池正極,在電化學測試中表現出優異的性能。因此,本研究工作不僅提供了一種新型的低維納米材料合成技術,而且為性能可充鋅離子電池的發展提供了幫助。
采用磷酸銨鎂法凈化含釩富集液,脫除硅、磷,考察了除雜劑加入量、溫度、pH值、銨鎂比、反應時間等因素對雜質去除率的影響。結果表明,凈化除雜條件為:100 mL含釩富集液中加入200 g/L的氯化銨溶液8 mL,按銨鎂比1.4加入氯化銨,直接使用原溶液(pH≈10.2)于室溫下攪拌凈化30 min后過濾得凈化液,除磷率達到96%以上,除硅率達到87%,釩損失率可控制在2%左右。經過沉釩、過濾、洗滌、烘干、煅燒后,獲得了純度99.93%的高純五氧化二釩。經重復性試驗驗證,此工藝、流程簡單,而且生產成本低,可為高純V_2O_5制備提供技術方案。
采用十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)對鎂合金表面偏釩酸鹽轉化膜進行改性。研究了SDBS含量、p H、轉化時間和溫度等對釩酸鹽轉化膜耐蝕性的影響,得到較優的成膜工藝條件為:偏釩酸銨2.2 g/L,SDBS 1.2 g/L,p H 4.4,溫度30°C,時間16 min。分別采用掃描電鏡、能譜儀、中性鹽霧試驗、電化學工作站和紅外光譜儀分析了轉化膜的表面形貌、成分、耐蝕性和組織結構。結果表明,改性后的轉化膜為無定形結構,含Mg、O、C、F、Al、V元素和SDBS有機官能團。改性轉化膜在Na Cl溶液中的腐蝕電位和腐蝕電流密度分別為-1.246 V和5.99×10-6 A/cm2,中性鹽霧試驗時間長達72 h,耐蝕性能遠優于未改性轉化膜。