在晶片上生長為外延片的步驟：

在單晶襯底上生長一薄層單晶工藝，稱為外延；長有外延層的晶體片稱為外延片；外延材料是LED的核心部分。LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數基本上取決于外延材料。 外延技術和設備分氣相外延、液相外延、金屬有機化合物氣相外延（MOCVD）,目前主流方式為 MOCVD，而 MOCVD 外延爐則是 LED 外延片和芯片制造過程中的蕞重要的設備，在2008年前后時期，一套 MOCVD 設備需要上千萬人民i幣左右。

把襯底放到外延爐中，然后控制化合物氣體在襯底上沉積，就像植物從地下生長上來一樣，化合物沉積到襯底上好像從襯底上生長上來的一樣，所以稱之為外延片生長。需要生長多層微米級別的不同層。

LED芯片材料磊晶種類

1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs

3.MOVPE：metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN

4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs

5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(雙異型結構) GaAlAs/GaAs

6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs

1. 供過于求狀態或將持續

經LED芯片行業大洗牌，海外企業與國內二三線芯片廠商產能逐步收縮，國內大廠將依靠資金、技術、規模優勢繼續大規模擴產高i端產能，LED芯片產能逐步釋放，若無明顯的需求爆發拉動，供過于求狀態或將持續。

2. 優化傳統LED芯片業務

對于傳統通用照明產品毛利率的降低，各家企業將持續優化產品性能、提升可靠性和良率等，以降成本為目標。此外，高附加值、高毛利產品比重將提升。

3. 企業走差異化路線

各大企業將尋找新增長點，走差異化路線：一是加強Mini/Micro LED、UV LED、VCSEL等新興市場產品的開發，提升高i端產品的營收占比；二是或將重芯轉至化合物半導體領域，深化GaAs和GaN材料的研究和應用。

應用于摩天輪二次封裝LED全封閉絕緣及它的阻燃性能使得其在一些安全要求較高的場所應用，如在摩天輪上的使用。

(5)應用于室內暗槽及裝飾照明　　在展館、酒吧室內的噴泉，賓館酒店的暗槽等場所使用。

(6)應用于標識、標牌　　戶外標識、標牌，用LED代替傳統的霓虹燈，而LED的防水問題又成了標識、標牌品質的一大影響因素，二次封裝LED了因防水問題影響品質和壽命的困擾，因此被大量應用于標識、標牌行業。應用的產品主要有二次封裝LED防水模條、二次封裝LED點光源。

7)應用于戶外大型廣告顯示屏　　采用電腦控制系統和二次封裝LED點光源來制作精度較高的大型廣告顯示屏，由于其性價比較高，越來越被廣告公司及廣告發面客戶認可。該顯示屏可以用CF卡播放視頻或文字內容的廣告，也可以與電腦連接，實現實時傳輸和播放各種視頻節目。

二次封裝LED，既可作為燈具直接使用，也可廣泛作為LED燈具的內部光源使用，如景觀雕塑光源、藝術造型光源、橋梁藝術燈光源，使造型LED燈具在開發制作過程中燈具外殼防水防護要求降到低，也使造型燈的穩定工作得到保障。二次封裝LED的面世，使LED成為一種全天候、使用的照明產品。