采用連續式硫化法的情況下，不會有因切去加壓成形產生的毛邊或一般的擠壓處理和在硫化處理槽內進行處理時橡膠管兩端翹起的部分而導致的橡膠浪費，另外能夠縮短制造時間和減少人工費用，因此能夠降低輥筒的制造成本，從這些方面考慮，此方法優于間歇式硫化法。還原制得含稀土99%的稀土金屬經真空精煉(包括真空蒸餾或升華)、電傳輸、區域熔煉、熔鹽電解精煉等方法處理除去非稀土雜質后，可獲得純度超過99。

此外，硫化處理后，由于對每個輥筒都進行了剪切，所以基本上不會出現上述差別，這樣就可緩解長度方向的電阻值的不均勻。

對圓周方向的電阻值的不均勻依然無法改善。

此外，采用連續硫化法時，如果硫化時的熱傳遞沒有設法盡量達到均勻，則擠壓后的硫化速度不一致，這樣可能電阻值的不均勻程度反而大于間歇式硫化法。特別是在圓周方向上這種傾向更顯著。

采用連續硫化法時，在擠壓機的擠壓筒內的半徑方向上有非常大的剪切速度分布，這可能會影響電子導電性填充劑的分散。

由表面層和基層組成的半導電輥；該表面層具有較高的電阻值，由橡膠組合物制成；基層具有較低的電阻值，由導電橡膠組合物組成。該半導電輥的目的在于通過良好地平衡表面層和基層的電阻值而獲得良好的靜電充電特性。濕法冶金屬化工冶金方式，全流程大多處于溶液、溶劑之中，如稀土精礦的分解、稀土氧化物、稀土化合物、單一稀土金屬的分離和提取過程就是采用沉淀、結晶、氧化還原、溶劑萃取、離子交換等化學分離工藝過程。有必要使這兩種層的厚度高度準確。為使兩種層的厚度高度準確，需要較麻煩的管理，并且生產橡膠輥的成本較高。

在所有應用產業中，半導體產業對靶材濺射薄膜的品質要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。制備化合物半導體的金屬如銦、磷，可利用氯化物精餾氫還原、電解精煉、區熔及拉晶提純等方法制備超純金屬，總金屬雜質含量為0。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。靶材的結晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關系極大，過99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。