采用連續(xù)式硫化法的情況下，不會(huì)有因切去加壓成形產(chǎn)生的毛邊或一般的擠壓處理和在硫化處理槽內(nèi)進(jìn)行處理時(shí)橡膠管兩端翹起的部分而導(dǎo)致的橡膠浪費(fèi)，另外能夠縮短制造時(shí)間和減少人工費(fèi)用，因此能夠降低輥筒的制造成本，從這些方面考慮，此方法優(yōu)于間歇式硫化法。還原制得含稀土99%的稀土金屬經(jīng)真空精煉(包括真空蒸餾或升華)、電傳輸、區(qū)域熔煉、熔鹽電解精煉等方法處理除去非稀土雜質(zhì)后，可獲得純度超過(guò)99。

此外，硫化處理后，由于對(duì)每個(gè)輥筒都進(jìn)行了剪切，所以基本上不會(huì)出現(xiàn)上述差別，這樣就可緩解長(zhǎng)度方向的電阻值的不均勻。

對(duì)圓周方向的電阻值的不均勻依然無(wú)法改善。

此外，采用連續(xù)硫化法時(shí)，如果硫化時(shí)的熱傳遞沒(méi)有設(shè)法盡量達(dá)到均勻，則擠壓后的硫化速度不一致，這樣可能電阻值的不均勻程度反而大于間歇式硫化法。特別是在圓周方向上這種傾向更顯著。

采用連續(xù)硫化法時(shí)，在擠壓機(jī)的擠壓筒內(nèi)的半徑方向上有非常大的剪切速度分布，這可能會(huì)影響電子導(dǎo)電性填充劑的分散。

由表面層和基層組成的半導(dǎo)電輥；該表面層具有較高的電阻值，由橡膠組合物制成；基層具有較低的電阻值，由導(dǎo)電橡膠組合物組成。該半導(dǎo)電輥的目的在于通過(guò)良好地平衡表面層和基層的電阻值而獲得良好的靜電充電特性。濕法冶金屬化工冶金方式，全流程大多處于溶液、溶劑之中，如稀土精礦的分解、稀土氧化物、稀土化合物、單一稀土金屬的分離和提取過(guò)程就是采用沉淀、結(jié)晶、氧化還原、溶劑萃取、離子交換等化學(xué)分離工藝過(guò)程。有必要使這兩種層的厚度高度準(zhǔn)確。為使兩種層的厚度高度準(zhǔn)確，需要較麻煩的管理，并且生產(chǎn)橡膠輥的成本較高。

在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來(lái)．而互連線的寬度卻在減小。制備化合物半導(dǎo)體的金屬如銦、磷，可利用氯化物精餾氫還原、電解精煉、區(qū)熔及拉晶提純等方法制備超純金屬，總金屬雜質(zhì)含量為0。硅片制造商對(duì)靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，過(guò)99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無(wú)法滿足如今0.25um的工藝要求。