近年，隨著圖像質量的提高，色粉直徑也越來越小。在微孔孔徑較大的發泡輥筒中，色粉進入輥筒的微孔內不易去除，所以存在圖像混亂的問題。如今開發出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0。因此，對于使用微細色粉的高畫質復印機和打印機用輥筒，特別是色粉供給輥，要求更細的微孔。在制造發泡輥筒時，與間歇式方法相比，連續硫化處理法的優點是能夠使發泡微孔的直徑更小。以往的導電輥使用了不會因其中的導電性填充劑的不均勻而導致電阻值不均勻的離子導電性橡膠，但是問題在于很難采用經濟上及效率上都有利的連續硫化法進行制造。

在所有應用產業中，半導體產業對靶材濺射薄膜的品質要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。王水在溶解了貴金屬的溶液中有大量的殘余和硝基物的存在給后續提煉或精煉貴金屬帶來操作困難或失敗，嚴重影響貴金屬的提煉或精煉工藝順利進行，嚴重影響貴金屬回收率，故王水貴金屬溶液的濃縮趕硝是緊隨溶解其后的務必工序。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。靶材的結晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關系極大，過99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。

王水在溶解了 的溶液中有大量的殘余和 硝基物的存在給后續提煉或精煉帶來操作困難或失敗，嚴重影響的提煉或精煉工藝順利進行，嚴重影響回收率，故王水溶液的濃縮趕硝是緊隨溶解其后的務必工序！尤其在鉑族金屬的精煉中嚴重影響水解的順利進行和回收率。

王水溶液的濃縮趕硝故名思議是兩段工序，濃縮的目的是將溶液中可在沸騰下揮發的酸和水盡量揮發徹底，以便適合趕硝的藥劑和濃度盡量高的無水硝基物或殘余快速反應，以達到徹底趕硝的目的。