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公司基本資料信息
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MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
做電源設計,或者做驅動方面的電路,難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅動的使用,當然就是用它的開關作用。
無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應,因此在開關應用中,MOS管的開關速度應該比三極管快。

MOS管失效的兩個主要原因:
電壓失效:即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓,達到一定容量,造成MOS管失效。
柵電壓故障:柵極遭受異常電壓尖峰,造成柵氧層故障。
雪崩破壞到底是什么?簡單地說,MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之,即MOS管漏源極的電壓超過了它規定的電壓值,并且達到了某一能量極限i時所產生的常見故障。
造成柵電壓異常高的主要原因有三個:生產、運輸和裝配過程中的靜電;設備和電路寄生參數在電力系統運行過程中產生高壓諧振;在高壓沖擊時,高壓通過Ggd傳輸到電網(雷擊測試時這種故障更為常見)。

公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應用開發及生產,并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
做電源電路,或是做推動領域的電源電路,免不了要使用MOS管。MOS管有很多類型,也是有許多功效。做開關電源或是推動的應用,自然便是用它的開關功效。
不管N型或是P型MOS管,其原理實質是一樣的。MOS管是由加在鍵入端柵極的電流來調節輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它根據加在柵極上的電流操縱器件的特點,不容易產生像三極管做開關時的因基極電流造成的正電荷儲存效用,因而在開關運用中,MOS管的開關速率應當比三極管快。
