3分鐘前 蘇州半導體氧化設備公司來電垂詢「蘇州潤璽」[蘇州潤璽f9f1caf]內容：使用過程產品: AquaVantage 815 GD濃度: 10%溫度: 131-140°F (55°C)設備: 2 套單獨的清洗流程, 200L 超聲波設備, 4000L 浸沒設備。沖洗: 3 個階段: 自來水, 去離子水以及終的去離子水. 所有的沖洗需要在接近 22 – 25°C的環境進行.通過一個閉環去離子水系統(水通過去離子水床的連續循環)，終的沖洗被控制在至少4兆歐姆的電阻率。結論: 具有持續良好的清潔能力 。BHC 的優勢: 的排氣性能和清洗部件能力。使用BRULIN815GD清洗的半導體設備零部件，為更好地去除水分和揮發極低的有機物，要需零部件進行后處理：在惰性氣體、真空度為0.13Pa、設定溫度為500K（227°）的烘烤箱進行烘烤，進行裝配。

干法清洗主要是采用氣態的刻蝕不規則分布的有結構的晶圓二氧化硅層，雖然具有對不同薄膜有高選擇比的優點，但可清洗污染物比較單一，目前在 28nm 及以下技術節點的邏輯產品和存儲產品有應用。晶圓制造產線上通常以濕法清洗為主，少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結合的方式互補所短，在短期內濕法工藝和干法工藝無相互替代的趨勢，目前濕法清洗是主流的清洗技術路線，占比達芯片制造清洗步驟數量的 90%。

在濕法清洗工藝路線下，目前主流的清洗設備主要包括單片清洗設備、槽式清洗設備、組合式清洗設備和批式旋轉噴淋清洗設備等，其中單片清洗設備市場份額占比高。濕法清洗工藝路線下主流的清洗設備存在先進程度的區分，主要體現在可清洗顆粒大小、金屬污染、腐蝕均一性以及干燥技術等標準。目前至純科技主要生產濕法清洗設備，提供槽式設備（槽數量按需配置）及單片機設備（8-12 反應腔），均可以覆蓋 8-12 寸晶圓制造的濕法工藝設備。

隨著半導體芯片工藝技術節點進入 28 納米、14 納米等更先進等級，工藝流程的延長且越趨復雜，產線成品率也會隨之下降。造成這種現象的一個原因就是先進制程對雜質的敏感度更高，小尺寸污染物的清洗更困難。解決的方法主要是增加清洗步驟。每個晶片在整個制造過程中需要甚至超過 200 道清洗步驟，晶圓清洗變得更加復雜、重要及富有挑戰性。