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公司基本資料信息
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曝光一般在曝光機內進行,目前的曝光機依據光源冷卻方式可分為風冷和水冷,曝光質量取決于除干膜致抗蝕劑、光源選擇、曝光時間、菲林膠片質量等因素。

底片尺寸的穩定性隨環境的溫度和貯存時間而變化。所以,底片的生產、貯存和使用采用恒溫的環境,采用厚底片也能提高照相底片的尺寸穩定性。
曝光后,聚合反應還要持續一段時間,為保證工藝的穩定性,曝光后不要立即揭去聚酯膜,以使聚合反應持續進行。待顯影前再揭去聚膜。
取一張沖好定位孔的底片去編鉆孔程序,便能得到同時鉆出元件孔和定位孔的數據帶或數據盤,一次性鉆出元件孔及定位孔,在孔金屬化后預鍍銅,便可用雙圓孔脫銷定位曝光。
曝光顯影工藝主要應用于微電子加工中,是一種將芯片圖案傳遞到硅片上的技術。
曝光顯影工藝可以分為以下步驟:
顯影:將曝光后的硅片浸泡在顯影液中,在此過程中,光刻膠會在掩膜中沒有被曝光的部分(即需要去除的圖案區域)中被消蝕,并暴露出硅片表面。刻蝕:在暴露出的芯片表面上利用化學或物理方法以去除未被的光刻膠保護的硅表面材料,制造出所需的芯片圖案。這些步驟相互整合,完成硅片的制造。在不同的制造要求下,整個曝光顯影工藝過程的條件和具體流程可能會有所不同。
