在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，過99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。用間歇式硫化法進行硫化處理制造輥筒時，由于端部和中央部分會產(chǎn)生壓力和熱傳遞差，所以電阻值不均勻。

鎢-鈦（W-Ti）膜以及以鎢-鈦（W-Ti）為基的合金膜是高溫合金膜，具有一系列的優(yōu)良性能。鎢具有高熔點、高強度和低的熱膨脹系數(shù)等性能，W/ Ti 合金具有低的電阻系數(shù)、良好的熱穩(wěn)定性能。如各種器件都需要起到導電作用的金屬布線，例如Al 、Cu 和Ag 等已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用和研究。但是布線金屬本身易 氧化、易與周圍的環(huán)境發(fā)生反應(yīng),與介質(zhì)層的粘結(jié)性差,易擴散進入Si 與SiO2 等器件的襯底材料中，并且在較低的溫度下會形成金屬與Si 的化合物, 充當了雜質(zhì)的角色,使器件的性能大幅度下降。另外一般的電阻測量儀器受溫度和濕度的影響較大，無法測量，導致不能得出的數(shù)值，從而不能保證廣品的品質(zhì)。

1：金屬鍍鈀，鍍鈀銅提鈀技術(shù)：首先把鍍鈀銅等表面鍍鈀料放入容器中，再加入自配退鈀溶液，數(shù)秒中后表面鈀退凈，取出鍍鈀銅基體(此方法對基體無傷害,再用自配化學試劑，鈀和溶液分離

2：合金含鈀，銅鈀合金提鈀技術(shù)：把銅鈀合金放入容器中，加入自配化學品把銅鈀合金溶解成液體，再用自配化學試劑把鈀和溶液分離。

3：廢鈀碳催化劑提鈀，首先用物理原理把碳等有機物去除，剩下金屬鈀，再用化學試劑溶解金屬鈀，再進行下一步鈀分離。