1.碳化硅涉及領(lǐng)域

功能陶瓷，耐火材料磨料及冶金原料

2.碳化硅的用途

可以作為磨料，如砂輪，油石，磨頭，砂瓦類等，做磨料磨具領(lǐng)域還可以制造砂輪，砂紙，砂帶，油石，磨塊，磨頭，研磨膏及光伏產(chǎn)品中單晶硅，多晶硅和電子行業(yè)的壓電晶體等方面的研磨，拋光等。

作為冶金脫氧劑和耐高溫材料。

3.高純度的單晶，可用于做半導(dǎo)體，制作碳化硅纖維

可以用于3~12英寸單晶硅，多晶硅，鉀，石英晶等線切割。太陽能光伏產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，壓電機(jī)晶體產(chǎn)業(yè)工程性加工材料。

碳化硅廠家生產(chǎn)的碳化硅為什么是第三代半導(dǎo)體重要的材料呢？

一、碳化硅器件的優(yōu)勢特性

碳化硅（SiC）是目前發(fā)展成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。

二、與普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：

1、高壓特性

碳化硅器件是同等硅器件耐壓的10倍，碳化硅肖特基管耐壓可達(dá)2400V。碳化硅場效應(yīng)管耐壓可達(dá)數(shù)萬伏，且通態(tài)電阻并不很大。

2、高頻特性

3、高溫特性

碳化硅的強(qiáng)度是在靜負(fù)荷下用壓磨粒的方法檢驗的，取5克碳化硅樣品放到圓柱盤表面，上方加放另一個圓柱盤，加壓至30KG/cm2，篩除壓碎的碳化硅粒，取未壓碎部分的重量與原碳化硅樣品總重量做比值，比值越大，碳化硅的強(qiáng)度越大，反之，則說明碳化硅的強(qiáng)度小。

碳化硅的強(qiáng)度是在靜負(fù)荷下用壓磨粒的方法檢驗的，取5克碳化硅樣品放到圓柱盤表面，上方加放另一個圓柱盤，加壓至30KG/cm2，篩除壓碎的碳化硅粒，取未壓碎部分的重量與原碳化硅樣品總重量做比值，比值越大，碳化硅的強(qiáng)度越大，反之，則說明碳化硅的強(qiáng)度小。