超純金屬的制備有化學提純法如精餾（特別是金屬氯化物的精餾及氫還原）、升華、溶劑萃取等和物理提純法如區熔提純等（見硅、鍺、鋁、銦）。其中以區熔提純或區熔提純與其他方法相 結合有效。

由于容器與藥劑中雜質的污染，使得到的金屬純度受到一定的限制，只有用化學方法將金屬提純到一定純度之后，再用物理方法如區熔提純，才能將金屬純度提到一個新的高度。經切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器,其分辨率已接近于理論數值。可以用半導體材料鍺及超純金屬鋁為例說明典型的超純金屬制備及檢測的原理（見區域熔煉）。

各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發展，極大地滿足了各種新型電子元器件發展的需求。ITO靶制備的透明導電薄膜廣泛應用于數碼相機、投影電視、數碼顯示的各種光學系統中，全球需求量都很大。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線。

在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。

綁定的適用范圍

技術上來說表面平整可進行金屬化處理的靶材都可以用我司銦焊綁定技術綁定銅背靶來提高濺射過程的散熱性、提高靶材利用率。

建議綁定的靶材：

ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結靶材；

錫、銦等軟金屬靶；

靶材太薄、靶材太貴的情況等。

但下列情況綁定有弊端：

1.熔點低的靶材，像銦、硒等，金屬化的時候可能會變軟變形；

2.貴金屬靶材，一是實際重量易出現分歧，二是金屬化以及解綁的時候都會有浪費料，建議墊一片銅片。