6分鐘前 安徽EMMI微光顯微鏡信息推薦 特斯特電子科技公司[蘇州特斯特31ff5f9]內(nèi)容：超聲波掃描顯微鏡原理；利用脈沖回波的性質(zhì)，激勵(lì)壓電換能器發(fā)射出多束通過耦合液介質(zhì)傳遞到被測(cè)樣品，在經(jīng)過不同介質(zhì)時(shí)會(huì)發(fā)生折射、反射等現(xiàn)象，通過阻抗不同的材料時(shí)會(huì)發(fā)生波形相位、能量上的變化等現(xiàn)象，經(jīng)過一系列數(shù)據(jù)計(jì)算形成灰度值圖片，可用來分析樣品內(nèi)部狀況。作為無損檢測(cè)分析中的一種，它可以實(shí)現(xiàn)在不破壞物料電氣能和保持結(jié)構(gòu)完整性的前提下對(duì)物料進(jìn)行檢測(cè)。被廣泛的應(yīng)用在物料檢測(cè)（IQC）、失效分析（FA）、破壞性物理分析（DPA）、可靠性分析、元器件二次篩選、質(zhì)量控制(QC)、及可靠性(QA/REL)、研發(fā)(R&D)等領(lǐng)域。

微光顯微鏡是一種用于材料科學(xué)領(lǐng)域的分析儀器，于2016年04月16日啟用。前部照明的1.4兆像素增強(qiáng)型近紅外相機(jī); 珀?duì)栙N風(fēng)冷到 -45攝氏度 可捕更廣范圍波長的近紅外光顯微鏡 軟件控制5波段照明。主要功能編輯 語音l 柵氧化層漏電l p-n 結(jié)漏電l 熱電子效應(yīng)l CMOS閂鎖效應(yīng)l EOS/ESD 損傷l 飽和MOS器件l 模擬MOSFETs。

超聲波掃描顯微鏡原理；通過發(fā)射高頻超聲波傳遞到樣品內(nèi)部，在經(jīng)過兩種不同材質(zhì)之間界面時(shí)，由于不同材質(zhì)的聲阻抗不同，對(duì)聲波的吸收和反射程度的不同，進(jìn)而的反射或者穿透的超聲波能量信息或者相位信息的變化來檢查樣品內(nèi)部出現(xiàn)的分層、裂縫或者空洞等缺陷。蘇州特斯特電子科技有限公司，主要從事各類測(cè)試、檢測(cè)儀器設(shè)備的代理銷售和技術(shù)服務(wù)，產(chǎn)品涵蓋電子元器件，電路板，線纜線束的測(cè)試與檢測(cè)。設(shè)備主要來自于歐美日等先進(jìn)測(cè)試設(shè)備制造國家。

芯片失效分析步驟:

1、非破壞性分析：主要是超聲波掃描顯微鏡（C-SAM）--看有沒delamination，xray--看內(nèi)部結(jié)構(gòu)，等等；

2、電測(cè)：主要工具，萬用表，示波器， tek370a

3、破壞性分析：機(jī)械decap，化學(xué) decap芯片開封機(jī)

4、半導(dǎo)體器件芯片失效分析 芯片內(nèi)部分析，孔洞氣泡失效分析。

蘇州特斯特電子科技有限公司，主要從事各類測(cè)試、檢測(cè)儀器設(shè)備的代理銷售和技術(shù)服務(wù)，產(chǎn)品涵蓋電子元器件，電路板，線纜線束的測(cè)試與檢測(cè)。