外延片的生長工藝有很多流程，需要很多高菁尖設備，生長出來的外延片直接決定了 LED 的波長、亮度、正向電壓等主要的光電參數。外延片的生長基本原理是在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石、SiC 碳化硅、Si 硅）上，氣態物質 In Ga Al P(銦 家鋁 磷) 有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。

目前主要的外延片襯底材料有藍寶石、碳化硅和硅。不同的襯底材料有不同的光電特性，價格差別也很大。外延片制造過程如下：

先把晶棒切片，切片需要注意晶面的結晶方向、晶片的厚度、晶面的斜度和曲度；切片后為了防止晶片邊緣碎裂、防止熱應力集中以及增加外延層的平坦度 需要把晶邊磨圓，然后還需要蝕刻(shí kè)，蝕刻的目的在于把前面機械加工所造成的損傷給去掉，蝕刻需要用到晶片研磨機；下一步需要將晶片置于爐管中施以惰性氣體加熱30分鐘至一小時，再在空氣中快速冷卻，可以將所有氧雜質去除，這樣晶片的電性（阻值）僅由載流子雜質來控制，從而穩定電阻，這一步需要使用到高溫快速熱處理設備；然后使用拋光機再給晶片拋光；再然后就是使用晶片清洗機來清洗晶片，用RCA溶液（雙i氧水＋氨水或又氧水＋鹽酸），將前面工序所形成的污染清除，蕞后在無塵環境中嚴格檢查晶片表面的潔凈度、平坦度確保符合規格要求，蕞后包裝到特殊的容器中保存。

隨著半導體LED技術的發展，其在照明領域的應用也越來越多，特別是白光LED的出現，更是成為半導體照明的熱點。

但是關鍵的芯片、封裝技術還有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發展。

提高功率意味著芯片的使用電流加大，較為直接的辦法是加大芯片尺寸，現在普遍出現的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用電流在350mA.由于使用電流的加大，散熱問題成為突出問題，現在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。

隨著LED技術的發展，其在照明領域的應用會面臨一個從未有的機遇和挑戰。

說到LED芯片行業的發展歷史，離不開幾個重要的時間節點。2003年6月，中國科技部首i次提出要發展半導體照明；2006年“十一五”將半導體照明工程作為國家的一個重大工程進行推動；2009年開始，中國各地政府對于LED芯片制造廠商采購MOCVD予以補貼，國內LED芯片廠商收入與凈利潤增加，同時競爭者數量不斷攀升，行業競爭加劇。

2011年國家發改委正式發布中國淘汰白熾燈的政府公告及路線圖，明確提出2016年將全i面禁止白熾燈的銷售。2011年至2016年這幾年是淘汰白熾燈的過渡期，同時也是LED照明行業的快速發展期。進入 2016 年以后，各大LED芯片廠擴產帶來的產能釋放，行業洗牌前夕來臨。由于產能過剩，LED芯片引起激烈的價格競爭，導致不少芯片廠商營收和凈利潤雙雙下降，眾多中小廠商被i迫退出市場。

國外廠商也開始調整策略，對國際大廠來說，他們在技術成熟的LED通用市場已失去明顯的競爭優勢，切斷LED“殘腕”或是明智之舉，為避免激烈競爭造成的損失擴大。

LED模組就是把LED（發光二極管）按一定規則排列在一起再封裝起來，加上一些防水處理組成的產品。就是LED模組。

按密封性又可以分為防水和不防水兩種。防水和不防水的模組主要是看應用環境來區分的，一般防水的LED模組可以運用于戶外照明和宣傳使用，它不會因為進水而發生問題，更適合惡劣的環境應用，而不防水模組則主要是室內用的比較多。

按照LED的形狀LED模組分為：直插式LED模組，食人魚LED模組，貼片LED模組。