傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™單管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™，BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅動芯片BTD25350，單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片（帶VCE保護）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲一體機，儲能變流器，儲能PCS,雙向LLC電源模塊，儲能PCS-Buck-Boost電路，光儲一體機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車載充電器，熱管理電動壓縮機驅動器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機驅動，大功率工業電源，工商業儲能變流器，變頻器，變槳伺服驅動輔助電源，高頻逆變焊機，高頻伺服驅動，AI服務器電源，算力電源，數據中心電源，機房UPS等領域與客戶戰略合作，傾佳電子（Changer Tech）全力支持中國電力電子工業發展！
提供各種電流電壓等級的碳化硅肖特基二極管和平面、溝槽柵碳化硅MOSFET，
產品可應用于標準環境及高溫環境，各項性能指標達到國際領先水平
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B4D30120H
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BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET
B2M160120H B2M160120Z B2M160120R
B2M080120H B2M080120Z B2M080120R
AB2M080120H AB2M080120Z AB2M080120R
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Part No.
BMF240R12E2G3
汽車級全碳化硅功率模塊是基本公司為新能源汽車主逆變器應用需求而研發推出的系列MOSFET功率模塊產品，包括Pcore™6汽車級HPD模塊（6芯片并聯、8芯片并聯）、Pcore™2汽車級DCM模塊、Pcore™1汽車級TPAK模塊、Pcore™2汽車級ED3模塊等，采用銀燒結技術等基本半導體最新的碳化硅 MOSFET 設計生產工藝，綜合性能達到國際先進水平，通過提升動力系統逆變器的轉換效率，進而提高新能源汽車的能源效率和續航里程。
基本公司針對多種應用場景研發推出門極驅動芯片，可適應不同的功率器件和終端應用。我們的門極驅動芯片包括隔離驅動芯片、自舉橋式驅動芯片和低邊驅動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內功率器件的門極驅動需求。
BTD25350MMBWR 帶禁用功能，死區時間設置，米勒鉗位功能
BTD25350MMCWR
BTD25350MSBWR 帶禁用功能，死區時間設置，開通、關斷分別控制
BTD25350MSCWR
BTD25350MEBWR 帶禁用功能，死區時間設置，副邊正電源帶欠壓保護功能
BTD25350MECWR
BTD21520MAWR 雙通道同相輸入，
BTD21520MBWR 死區配置和禁用功能
BTD21520SAWR 雙通道同相輸入，
BTD21520SBWR 帶禁用功能
BTD21520EAWR 單PWM輸入，
BTD21520EBWR 死區配置和禁用功能
BTD21520MAPR 雙通道同相輸入， 死區配置和禁用功能雙通道同相輸入,
BTD21520MBPR 死區配置和禁用功能
BTD21520SAPR 雙通道同相輸入，
BTD21520SBPR 帶禁用功能
BTD21520EAPR 單PWM輸入，
BTD21520EBPR 死區配置和禁用功能
BTD5350MBPR 米勒鉗位功能
BTD5350MCPR
BTD5350MBWR
BTD5350MCWR
BTD5350SBPR 開通、關斷
BTD5350SCPR
BTD5350SBWR 分別控制
BTD5350SCWR
BTD5350EBPR 副邊正電源
BTD5350ECPR
BTD5350EBWR 帶欠壓保護功能
BTD5350ECWR
BTL27523R 反相
BTL27523BR
BTL27524R 同相
BTL27524BR
隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應用中全面取代IGBT，全力推動基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，FF4MR20KM1HP，FF3MR20KM1H，FF5MR20KM1HP，FF5MR20KM1H，FF4MR20KM1H，FF3MR20KM1HP。
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲系統，1500V系統大組串SiC光伏逆變器，1500V系統儲能變流器PCS，1500V系統固態斷路器，固態變壓器等。
大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統上使用飛跨電容IGBT方案，控制復雜，頻率低，采用基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET進行兩電平改造，控制簡單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。
IGBT芯片技術不斷發展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優化），同時保持最高結溫低于最大規定值。
未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術的主要發展方向，體現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為此，BASiC™基本公司研發推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業變頻器、逆變焊機、四象限工業變頻器等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。
為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技術平臺開發推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點。
針對新能源汽車的應用需求，BASiC™基本公司研發推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。
B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術平臺開發的最新產品，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性方面有更進一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業級全碳化硅半橋功率模塊，產品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術開發的頂部散熱內絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調壓縮機和工業電源中。
BASiC™基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350系列，此驅動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅動MOSFET、IGBT等功率器件。
為了保持電力電子系統競爭優勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。