公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管的選型是很重要的一個環節，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本，同時也會給工程師帶來諸多麻煩。

為設計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。

在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。 當MOS管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOS管，這也是出于對電壓驅動的考慮。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS(ON)也是重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關，但對于充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜態參數。一直處于導通的MOS管很容易發熱。另外，慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數，其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

就目前的半導體行業發展來說，MOS管是作為半導體行業里基礎的器件之一，無論是在集成電路設計里，還是在板級電路的應用上都是十分廣泛的。目前尤其是在大功率半導體行業里，各種結構不同種類的MOS管更是發揮著不可i替代的作用。

電子元器件都有電氣參數，在選型時要給電子元器件留出足夠的余量，才能保證電子元器件的穩定性和長期運行。接下來簡要介紹一下三極管和MOS管的選型方法。

三極管是一種流控型器件，MOS管是壓控型器件，兩者之間有相似之處，在選擇時需要考慮耐壓、電流等參數。

1、根據耐壓選型

三極管的集電極C與發射極E之間能承受的電壓參數為V(BR)CEO，工作時CE之間的電壓不得超過規定值，否則三極管將永i久損壞。

在使用過程中，MOS管的漏極D與源極S之間也存在電壓，工作時DS兩端的電壓不能超過規定值。一般來說，MOS管的耐壓值遠高于三極管。

2、過電流能力

三極管有ICM參數，即集電極的過電流能力，MOS管的過電流能力以ID來表示。當電流工作時，流過三極管/MOS管的電流不能超過規定值，否則器件將會被燒壞。

考慮到工作穩定性，一般要留出30%-50%，甚至更多的余量。

3、工作溫度

商業級芯片：一般范圍在0到+70℃；

工業級芯片:一般范圍在-40到+85℃；

軍i工級芯片：一般范圍在-55℃到+150℃；

在進行MOS管選型時，要根據產品的使用場合選擇合適的芯片。

4、根據開關頻率選擇

三極管和MOS管都有開關頻率/響應時間的參數。如果用于高頻電路中，必須考慮開關管的響應時間是否符合使用條件。

5、其他選型條件

例如，MOS管的導通電阻Ron參數、MOS管的VTH開啟電壓等。