MOS管FET柵源保護：

1）避免 柵極 di/dt 過高

因為選用驅動集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導致功率管漏源極間的工作電壓波動，或是有可能導致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預防以上問題的產生，一般在 MOS 控制器的導出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極間過壓

因為柵極與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯穩壓極管以限定柵極工作電壓在穩壓極管值下，保護 MOS 管不被穿透。

3）安全防護漏源極中間過壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護電路，一樣有可能由于器件電源開關一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關速率越快，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護對策。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

說白了的過流保護，便是在輸出短路故障或過載時對電源或負荷開展維護，現階段對電源過流保護有多種方式，如恒流形、恒輸出功率型等，可是這種過流保護電路的制定都離不了MOS管，一款高的品質的MOS管能夠提高電源過流保護的作用。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

功率MOSFET場效應管是較為常用的一類功率器件，中文全名是——金屬氧化物半導體場效應管。它屬于一種功率輸出的器件，主要由金屬、氧化物還有半導體三種材料構成。那么什么是功率MOSFET場效應管呢？

其實就是從名字來看，功率MOSFET場效應管就是它再工作時能輸出較大的電流。場效應管的分類又分為很多種，其中圍繞功耗的特性我們可以分成增強型和耗盡型，如果按照溝道來選的話又可以分成N溝道型和P溝道型。

場效應管在輸出功率的系統中，主要被當做系統的開關。如果我們在N溝道場效應管的柵極和源極之間再加上一個電壓，就會讓其電源開關導通。電源開關導通之后，電流即可經過電源開關從漏極流入源極。其中在漏極和源極之間會存在一個內電阻，我們一般叫做導通電阻器RDS（ON）。我們一定要清楚場效應管的柵極實際上是一個高特性的阻抗端，所以我們需要在柵極上再添加一個電壓。當源極和柵極間的電壓為零時，電源開關關掉，而電流量終止根據器件。盡管這時候器件早已關掉，但依然有細微電流量存有，這稱作泄露電流IDSS。

因為場效應管是電氣控制系統中基本上的構件之一，挑選恰當的場效應管對全部設計方案是不是取得成功起著重要的功效。僅有掌握場效應管的種類及掌握決策他們的關鍵特性特性，設計方案工作人員才可以對于特殊設計方案挑選恰當的場效應管。