在所有應用產業中，半導體產業對靶材濺射薄膜的品質要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。靶材的結晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關系極大，過99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。因此需精密的量測，故要求有一套高精密的量測系統來支持，方能達到產品的設計要求。

濺射技術：濺射是制備薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導體集成電路、太陽能光伏、記錄介質、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。具有結構簡單、設計合理、使用壽命長的特點可增加在刷輥輥軸有效長度上單片刷套安裝數量10%左右，進而能夠高密度填充刷毛，提高了清洗質量。

由于具有獨特的物理化學性能，當代科學技術的飛速發展，將會越來越多的應用于國民經濟中的航空、航天、航海、火箭、原子能、微電子技術等高科技領域及石油化工、化學工業、汽車尾氣凈化等與人類生活息息相關的領域，并在眾多的應用領域中起著關鍵的的作用，因此被譽為“首要高技術金屬”、“現代工業的維生素”“現代新金屬”，發達的國家長期以來一直把視為“戰略性物質”。根據電解質的種類可分為氯化物熔鹽體系和氟化物-氧化物熔鹽體系電解法，多用于制取以鑭為主的混合稀土金屬以及鑭、鐠、釹等單一稀土金屬。