公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場效應管有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，場效應管可被看成電氣開關。當在n溝道場效應管的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚場效應管的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

在電源開關等供電系統設計方案中，方案設計人員會更多關注MOS管的多個主要參數，如通斷電阻器、較大工作電壓、較大電流量。這種要素雖然關鍵，考慮到不當之處會使電源電路沒法正常的工作中，但其實這只完成了頭一步，MOS管自身的寄生參數才算是危害電源電路的重要之處。

MOS管失效的兩個主要原因：

電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，達到一定容量，造成MOS管失效。

柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。

雪崩破壞到底是什么？簡單地說，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之，即MOS管漏源極的電壓超過了它規定的電壓值，并且達到了某一能量極限i時所產生的常見故障。

造成柵電壓異常高的主要原因有三個：生產、運輸和裝配過程中的靜電；設備和電路寄生參數在電力系統運行過程中產生高壓諧振；在高壓沖擊時，高壓通過Ggd傳輸到電網(雷擊測試時這種故障更為常見)。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管有的時候也稱作絕緣柵場效應管,因為它歸屬于場效應管中的絕緣柵型,全名是金屬—氧化物—半導體場效應晶體管或稱金屬—絕緣體—半導體場效應晶體管,是一種能夠普遍應用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。依據其“通道”(工作載流子)的極性差異,可分成“N型”與“P型”的兩個類型,也就是常說的Nmos、Pmos。