公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

分辨MOS管優劣的原因：JFET的輸入電阻超過100MΩ，而且跨導很高，當柵極引路時室內空間磁場非常容易在柵極上檢測出工作電壓數據信號，使管道趨向截至，或趨向通斷。若將身體感應電壓立即加在柵極上，因為鍵入電磁干擾較強，以上情況會更為顯著。如表針向左邊大幅偏轉，就代表著管道趨向截至，漏-源極間電阻器RDS擴大，漏-源極間電流量減少IDS。相反，表針向右邊大幅偏轉，表明管道趨于通斷，RDS↓，IDS↑。但表針到底向哪一個方位偏轉，應視感應電壓的正負極（正方向工作電壓或反方向工作電壓）及管道的工作中點而定。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS 管本身有著諸多優勢，但同時MOS管具備較敏感的短時過載能力，特別是在高頻率的運用場景，因此在運用功率 MOS 管務必為其制定有效的保護電路來提升器件的穩定性。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

現階段我國市場上電動車早已愈來愈多，其環境保護的特征也獲得了我國的認同，而且有替代汽柴油代步工具的發展趨勢，電動車也跟別的代步工具一樣，儀表盤上邊體現汽車各系統運行情況，具有了不可或缺的功效，而跟儀表盤電路原理所采用的MOS管可能危害到儀表盤的質量。

MOS管失效的兩個主要原因：

電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，達到一定容量，造成MOS管失效。

柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。

雪崩破壞到底是什么？簡單地說，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之，即MOS管漏源極的電壓超過了它規定的電壓值，并且達到了某一能量極限i時所產生的常見故障。

造成柵電壓異常高的主要原因有三個：生產、運輸和裝配過程中的靜電；設備和電路寄生參數在電力系統運行過程中產生高壓諧振；在高壓沖擊時，高壓通過Ggd傳輸到電網(雷擊測試時這種故障更為常見)。